Transistor - Bipolari (BJT) - Array

Foto: Numero parte produttore Disponibilità Prezzo Quantità Scheda tecnica Packaging Series ProductStatus TransistorType Current-Collector(Ic)(Max) Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) VceSaturation(Max)@IbIc Current-CollectorCutoff(Max) DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce Power-Max Frequency-Transition OperatingTemperature MountingType
NTE2018

NTE2018

IC-8 CHAN CMOS/TTL DR 18-PIN DIP

NTE Electronics, Inc
3,842 -

RFQ

NTE2018

Scheda tecnica

Bag - Active 8 NPN Darlington 600mA 50V 1.6V @ 350mA, 500A - - 1W - -20°C ~ 85°C (TA) Through Hole
NTE912

NTE912

IC-3 ISOLATED TRANS. 14-LEAD

NTE Electronics, Inc
2,020 -

RFQ

NTE912

Scheda tecnica

Bag - Active 5 NPN 50mA 24V 230mV @ 1mA, 10mA 500nA 40 @ 1mA, 3V 750mW 550MHz -55°C ~ 125°C (TA) Through Hole
1500+
1500+ Media giornaliera RFQ
20,000.000
20,000.000 Unità prodotto standard
1800+
1800+ Produttori mondiali
15,000+
15,000+ Magazzino in stock
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