Nexperia USA Inc. 2N7002NXBKR

Numero parte
2N7002NXBKR
Produttore
Nexperia USA Inc.
Categoria:
Transistor - FET, MOSFET - Singolo
Imballaggio
TO-236AB
Scheda tecnica
FudongIC2N7002NXBKR.pdf
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
Revisione qualità:
★★★★★ 5.0/5 Revisionato dal team QC di FudongIC

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Applicazioni

🔍Per quali applicazioni è adatto 2N7002NXBKR?

2N7002NXBKR è un prodotto di Nexperia USA Inc. nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.

Comunicazioni e apparecchiature di rete

Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.

Sistemi automotive e controllo

Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.

Automazione industriale

Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.

Data center e piattaforme cloud

Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.

FudongIC aiuta i clienti ad acquistare 2N7002NXBKR, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.

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Panoramica prodotto

2N7002NXBKR è un prodotto di Nexperia USA Inc. nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.

Caratteristiche principali

  • Codice: 2N7002NXBKR
  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singolo
  • Package: TO-236AB
  • Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
  • Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume

Aree di applicazione

2N7002NXBKR può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.

Acquisto e supporto tecnico

Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per 2N7002NXBKR, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.

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Product details

2N7002NXBKR - Domande frequenti

2N7002NXBKR è attualmente disponibile a stock?

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Qual è la quantità minima d’ordine per 2N7002NXBKR?

La quantità minima d’ordine per 2N7002NXBKR è 1 pezzo/i. FudongIC supporta campioni, piccoli ordini e acquisti in volume.

2N7002NXBKR è originale e genuino?

FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. 2N7002NXBKR di Nexperia USA Inc. viene acquistato tramite canali affidabili.

Qual è il tempo di consegna tipico per 2N7002NXBKR?

Il tempo di consegna dipende dalla posizione dello stock, dalla quantità e dalla destinazione. Per stock disponibile, possiamo organizzare spedizione con DHL, FedEx, UPS o altri servizi express.

Esistono parti alternative o equivalenti per 2N7002NXBKR?

In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per 2N7002NXBKR. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.

Immagine PMF170XP,115 PMV28ENER PMT560ENEAX NXV100XPR PMXB40UNEZ
Numero parte PMF170XP,115 PMV28ENER PMT560ENEAX NXV100XPR PMXB40UNEZ
Produttore Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
Packaging Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series - - - - -
ProductStatus Active Active Active Active Active
FETType N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 270mA (Ta), 330mA (Tc) 270mA (Ta), 330mA (Tc) 270mA (Ta), 330mA (Tc) 270mA (Ta), 330mA (Tc) 270mA (Ta), 330mA (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 2.8Ohm @ 200mA, 10V 2.8Ohm @ 200mA, 10V 2.8Ohm @ 200mA, 10V 2.8Ohm @ 200mA, 10V 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.1V @ 250µA 2.1V @ 250µA 2.1V @ 250µA 2.1V @ 250µA 2.1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 1 nC @ 10 V 1 nC @ 10 V 1 nC @ 10 V 1 nC @ 10 V 1 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V ±20V ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 23.6 pF @ 10 V 23.6 pF @ 10 V 23.6 pF @ 10 V 23.6 pF @ 10 V 23.6 pF @ 10 V
FETFeature - - - - -
PowerDissipation(Max) 310mW (Ta), 1.67W (Tc) 310mW (Ta), 1.67W (Tc) 310mW (Ta), 1.67W (Tc) 310mW (Ta), 1.67W (Tc) 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

2N7002NXBKR Informazioni rilevanti

I seguenti componenti sono inclusi "2N7002NXBKR" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. 2N7002NXBKR.

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