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Carica BOM
Infineon Technologies BSR316PH6327XTSA1
- Numero parte
- BSR316PH6327XTSA1
- Produttore
- Infineon Technologies
- Categoria:
- Transistor - FET, MOSFET - Singolo
- Imballaggio
- PG-SC59-3
- Scheda tecnica
-
BSR316PH6327XTSA1.pdf
- Descrizione
- MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
- Revisione qualità:
-
★★★★★ 5.0/5 Revisionato dal team QC di FudongIC
Le informazioni di prodotto per BSR316PH6327XTSA1 sono state verificate in base a codice, produttore, package, stock, requisiti di approvvigionamento e disponibilità di spedizione.
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Per quali applicazioni è adatto BSR316PH6327XTSA1?
BSR316PH6327XTSA1 è un prodotto di Infineon Technologies nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.
Comunicazioni e apparecchiature di rete
Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.
Sistemi automotive e controllo
Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.
Automazione industriale
Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.
Data center e piattaforme cloud
Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.
FudongIC aiuta i clienti ad acquistare BSR316PH6327XTSA1, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.
Richiedi preventivo e supporto tecnico per BSR316PH6327XTSA1Panoramica prodotto
BSR316PH6327XTSA1 è un prodotto di Infineon Technologies nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: MOSFET P-CH 100V 360MA SC59. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.
Caratteristiche principali
- Codice: BSR316PH6327XTSA1
- Produttore: Infineon Technologies
- Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singolo
- Package: PG-SC59-3
- Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
- Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume
Aree di applicazione
BSR316PH6327XTSA1 può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.
Acquisto e supporto tecnico
Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per BSR316PH6327XTSA1, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.
Prodotti correlati
Product details
- Packaging:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
- Series:SIPMOS®
- ProductStatus:Active
- FETType:P-Channel
- Technology:MOSFET (Metal Oxide)
- DraintoSourceVoltage(Vdss):100 V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:360mA (Ta)
- DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):4.5V, 10V
- RdsOn(Max)@IdVgs:1.8Ohm @ 360mA, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:1V @ 170µA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:7 nC @ 10 V
- Vgs(Max):±20V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:165 pF @ 25 V
- FETFeature:-
- PowerDissipation(Max):500mW (Tc)
- OperatingTemperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount
- Categoria:
- Scheda tecnica
BSR316PH6327XTSA1 - Domande frequenti
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FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. BSR316PH6327XTSA1 di Infineon Technologies viene acquistato tramite canali affidabili.
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In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per BSR316PH6327XTSA1. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.
| Immagine |  |
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| Numero parte | SP000089223 | SPB10N10LG | BUZ30A H3045A | BUZ30A | BUZ73 |
| Produttore | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Packaging | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | SIPMOS® | SIPMOS® | SIPMOS® | SIPMOS® | SIPMOS® |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 360mA (Ta) | 360mA (Ta) | 360mA (Ta) | 360mA (Ta) | 360mA (Ta) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 1.8Ohm @ 360mA, 10V | 1.8Ohm @ 360mA, 10V | 1.8Ohm @ 360mA, 10V | 1.8Ohm @ 360mA, 10V | 1.8Ohm @ 360mA, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 1V @ 170µA | 1V @ 170µA | 1V @ 170µA | 1V @ 170µA | 1V @ 170µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 7 nC @ 10 V | 7 nC @ 10 V | 7 nC @ 10 V | 7 nC @ 10 V | 7 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 165 pF @ 25 V | 165 pF @ 25 V | 165 pF @ 25 V | 165 pF @ 25 V | 165 pF @ 25 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 500mW (Tc) | 500mW (Tc) | 500mW (Tc) | 500mW (Tc) | 500mW (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays(5629)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – HF(2777)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren(42446)
BSR316PH6327XTSA1 Informazioni rilevanti
I seguenti componenti sono inclusi "BSR316PH6327XTSA1" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. BSR316PH6327XTSA1.
- Numero parte
- Produttore
- Imballaggio
- Descrizione
I seguenti componenti sono quelli più cercati in: Transistor - FET, MOSFET - Singolo.
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-
STF18N65M2
STMicroelectronics
-
TK65A10N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
-
SIHP17N80AE-GE3
Vishay Siliconix
-
FCPF9N60NT
onsemi
-
SIHP18N50C-E3
Vishay Siliconix
-
STP24N60M6
STMicroelectronics
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