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NXP USA Inc. BUK9Y59-60E,115
- Numero parte
- BUK9Y59-60E,115
- Produttore
- NXP USA Inc.
- Categoria:
- Transistor - FET, MOSFET - Singolo
- Imballaggio
- LFPAK56, Power-SO8
- Scheda tecnica
-
BUK9Y59-60E,115.pdf
- Descrizione
- N-CHANNEL 60 V, 59 MILLI OHMS LO
- Revisione qualità:
-
★★★★★ 5.0/5 Revisionato dal team QC di FudongIC
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Per quali applicazioni è adatto BUK9Y59-60E,115?
BUK9Y59-60E,115 è un prodotto di NXP USA Inc. nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.
Comunicazioni e apparecchiature di rete
Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.
Sistemi automotive e controllo
Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.
Automazione industriale
Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.
Data center e piattaforme cloud
Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.
FudongIC aiuta i clienti ad acquistare BUK9Y59-60E,115, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.
Richiedi preventivo e supporto tecnico per BUK9Y59-60E,115Panoramica prodotto
BUK9Y59-60E,115 è un prodotto di NXP USA Inc. nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: N-CHANNEL 60 V, 59 MILLI OHMS LO. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.
Caratteristiche principali
- Codice: BUK9Y59-60E,115
- Produttore: NXP USA Inc.
- Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singolo
- Package: LFPAK56, Power-SO8
- Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
- Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume
Aree di applicazione
BUK9Y59-60E,115 può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.
Acquisto e supporto tecnico
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Prodotti correlati
Product details
- Packaging:Bulk
- Series:Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
- ProductStatus:Active
- FETType:N-Channel
- Technology:MOSFET (Metal Oxide)
- DraintoSourceVoltage(Vdss):60 V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:16.7A (Tc)
- DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):5V
- RdsOn(Max)@IdVgs:52mOhm @ 5A, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:2.1V @ 1mA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:6.1 nC @ 5 V
- Vgs(Max):±10V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:715 pF @ 25 V
- FETFeature:-
- PowerDissipation(Max):37W (Tc)
- OperatingTemperature:-55°C ~ 175°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount
- Categoria:
- Scheda tecnica
BUK9Y59-60E,115 - Domande frequenti
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In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per BUK9Y59-60E,115. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.
| Immagine |  |
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 |
| Numero parte | BUK6209-30C,118 | BUK6213-30A,118 | BUK7E13-60E,127 | BUK7230-55A,118 | BUK724R5-30C118 |
| Produttore | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. |
| Packaging | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 16.7A (Tc) | 16.7A (Tc) | 16.7A (Tc) | 16.7A (Tc) | 16.7A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 5V | 5V | 5V | 5V | 5V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 52mOhm @ 5A, 10V | 52mOhm @ 5A, 10V | 52mOhm @ 5A, 10V | 52mOhm @ 5A, 10V | 52mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.1V @ 1mA | 2.1V @ 1mA | 2.1V @ 1mA | 2.1V @ 1mA | 2.1V @ 1mA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 6.1 nC @ 5 V | 6.1 nC @ 5 V | 6.1 nC @ 5 V | 6.1 nC @ 5 V | 6.1 nC @ 5 V |
| Vgs(Max) | ±10V | ±10V | ±10V | ±10V | ±10V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 715 pF @ 25 V | 715 pF @ 25 V | 715 pF @ 25 V | 715 pF @ 25 V | 715 pF @ 25 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 37W (Tc) | 37W (Tc) | 37W (Tc) | 37W (Tc) | 37W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays(5629)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – HF(2777)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren(42446)
BUK9Y59-60E,115 Informazioni rilevanti
I seguenti componenti sono inclusi "BUK9Y59-60E,115" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. BUK9Y59-60E,115.
- Numero parte
- Produttore
- Imballaggio
- Descrizione
I seguenti componenti sono quelli più cercati in: Transistor - FET, MOSFET - Singolo.
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-
STF18N65M2
STMicroelectronics
-
TK65A10N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
-
SIHP17N80AE-GE3
Vishay Siliconix
-
FCPF9N60NT
onsemi
-
SIHP18N50C-E3
Vishay Siliconix
-
STP24N60M6
STMicroelectronics
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