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Carica BOM
Diodes Incorporated DMN2008LFU-7
- Numero parte
- DMN2008LFU-7
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Categoria:
- Transistor - FET, MOSFET - Array
- Imballaggio
- 6-UFDFN Exposed Pad
- Scheda tecnica
-
DMN2008LFU-7.pdf
- Descrizione
- MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030
- Revisione qualità:
-
★★★★★ 5.0/5 Revisionato dal team QC di FudongIC
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Per quali applicazioni è adatto DMN2008LFU-7?
DMN2008LFU-7 è un prodotto di Diodes Incorporated nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Array. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.
Comunicazioni e apparecchiature di rete
Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.
Sistemi automotive e controllo
Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.
Automazione industriale
Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.
Data center e piattaforme cloud
Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.
FudongIC aiuta i clienti ad acquistare DMN2008LFU-7, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.
Richiedi preventivo e supporto tecnico per DMN2008LFU-7Panoramica prodotto
DMN2008LFU-7 è un prodotto di Diodes Incorporated nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Array. Descrizione: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.
Caratteristiche principali
- Codice: DMN2008LFU-7
- Produttore: Diodes Incorporated
- Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Array
- Package: 6-UFDFN Exposed Pad
- Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
- Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume
Aree di applicazione
DMN2008LFU-7 può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.
Acquisto e supporto tecnico
Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per DMN2008LFU-7, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.
Prodotti correlati
Product details
- Packaging:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
- Series:-
- ProductStatus:Active
- FETType:2 N-Channel (Dual) Common Drain
- FETFeature:Standard
- DraintoSourceVoltage(Vdss):20V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:14.5A
- RdsOn(Max)@IdVgs:5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
- Vgs(th)(Max)@Id:1.5V @ 250A
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:42.3nC @ 10V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:1418pF @ 10V
- Power-Max:1W
- OperatingTemperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount
- Categoria:
- Scheda tecnica
DMN2008LFU-7 - Domande frequenti
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In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per DMN2008LFU-7. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.
| Immagine |  |
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| Numero parte | DMC2700UDM-7 | DMP3085LSD-13 | DMN2004VK-7 | DMC31D5UDJ-7 | DMP2004VK-7 |
| Produttore | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| Packaging | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | - | - | - | - | - |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FETFeature | Standard | Standard | Standard | Standard | Standard |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 20V | 20V | 20V | 20V | 20V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 14.5A | 14.5A | 14.5A | 14.5A | 14.5A |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V | 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V | 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V | 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V | 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 1.5V @ 250A | 1.5V @ 250A | 1.5V @ 250A | 1.5V @ 250A | 1.5V @ 250A |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 42.3nC @ 10V | 42.3nC @ 10V | 42.3nC @ 10V | 42.3nC @ 10V | 42.3nC @ 10V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 1418pF @ 10V | 1418pF @ 10V | 1418pF @ 10V | 1418pF @ 10V | 1418pF @ 10V |
| Power-Max | 1W | 1W | 1W | 1W | 1W |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays(5629)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – HF(2777)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren(42446)
DMN2008LFU-7 Informazioni rilevanti
I seguenti componenti sono inclusi "DMN2008LFU-7" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. DMN2008LFU-7.
- Numero parte
- Produttore
- Imballaggio
- Descrizione
-
2N7002DW-TP
Micro Commercial Co
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
-
DMC2700UDM-7
Diodes Incorporated
SOT-23-6
MOSFET N/P-CH 20V SOT26
-
BSC0924NDIATMA1
Infineon Technologies
8-PowerTDFN
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
-
IRF7324TRPBF
Infineon Technologies
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC
I seguenti componenti sono quelli più cercati in: Transistor - FET, MOSFET - Array.
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-
EPC2106
EPC
-
EPC2110
EPC
-
EPC2104
EPC
-
BSM300D12P2E001
Rohm Semiconductor
-
2N7002DW-TP
Micro Commercial Co
-
SSM6N37FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
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- 20,000.000 Unità prodotto standard
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