Fairchild Semiconductor FDAF59N30

Numero parte
FDAF59N30
Produttore
Fairchild Semiconductor
Categoria:
Transistor - FET, MOSFET - Singolo
Imballaggio
TO-3PF
Scheda tecnica
FudongICFDAF59N30.pdf
Descrizione
MOSFET N-CH 300V 34A TO3PF
Revisione qualità:
★★★★★ 5.0/5 Revisionato dal team QC di FudongIC

Le informazioni di prodotto per FDAF59N30 sono state verificate in base a codice, produttore, package, stock, requisiti di approvvigionamento e disponibilità di spedizione.

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Applicazioni

🔍Per quali applicazioni è adatto FDAF59N30?

FDAF59N30 è un prodotto di Fairchild Semiconductor nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.

Comunicazioni e apparecchiature di rete

Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.

Sistemi automotive e controllo

Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.

Automazione industriale

Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.

Data center e piattaforme cloud

Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.

FudongIC aiuta i clienti ad acquistare FDAF59N30, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.

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Panoramica prodotto

FDAF59N30 è un prodotto di Fairchild Semiconductor nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: MOSFET N-CH 300V 34A TO3PF. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.

Caratteristiche principali

  • Codice: FDAF59N30
  • Produttore: Fairchild Semiconductor
  • Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singolo
  • Package: TO-3PF
  • Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
  • Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume

Aree di applicazione

FDAF59N30 può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.

Acquisto e supporto tecnico

Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per FDAF59N30, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.

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Product details

FDAF59N30 - Domande frequenti

FDAF59N30 è attualmente disponibile a stock?

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Qual è la quantità minima d’ordine per FDAF59N30?

La quantità minima d’ordine per FDAF59N30 è 1 pezzo/i. FudongIC supporta campioni, piccoli ordini e acquisti in volume.

FDAF59N30 è originale e genuino?

FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. FDAF59N30 di Fairchild Semiconductor viene acquistato tramite canali affidabili.

Qual è il tempo di consegna tipico per FDAF59N30?

Il tempo di consegna dipende dalla posizione dello stock, dalla quantità e dalla destinazione. Per stock disponibile, possiamo organizzare spedizione con DHL, FedEx, UPS o altri servizi express.

Esistono parti alternative o equivalenti per FDAF59N30?

In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per FDAF59N30. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.

Immagine FDD6N20TF FDP5N50 FDPF12N35 FDPF7N50F FDP75N08
Numero parte FDD6N20TF FDP5N50 FDPF12N35 FDPF7N50F FDP75N08
Produttore Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Packaging Tube Tube Tube Tube Tube
Series UniFET™ UniFET™ UniFET™ UniFET™ UniFET™
ProductStatus Obsolete Obsolete Obsolete Obsolete Obsolete
FETType N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 300 V 300 V 300 V 300 V 300 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 34A (Tc) 34A (Tc) 34A (Tc) 34A (Tc) 34A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V 10V 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 56mOhm @ 17A, 10V 56mOhm @ 17A, 10V 56mOhm @ 17A, 10V 56mOhm @ 17A, 10V 56mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 100 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±30V ±30V ±30V ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 4670 pF @ 25 V 4670 pF @ 25 V 4670 pF @ 25 V 4670 pF @ 25 V 4670 pF @ 25 V
FETFeature - - - - -
PowerDissipation(Max) 161W (Tc) 161W (Tc) 161W (Tc) 161W (Tc) 161W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

FDAF59N30 Informazioni rilevanti

I seguenti componenti sono inclusi "FDAF59N30" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. FDAF59N30.

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