onsemi FDC658AP

Numero parte
FDC658AP
Produttore
onsemi
Categoria:
Transistor - FET, MOSFET - Singolo
Imballaggio
SuperSOT™-6
Scheda tecnica
FudongICFDC658AP.pdf
Descrizione
MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Revisione qualità:
★★★★★ 5.0/5 Revisionato dal team QC di FudongIC

Le informazioni di prodotto per FDC658AP sono state verificate in base a codice, produttore, package, stock, requisiti di approvvigionamento e disponibilità di spedizione.

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Applicazioni

🔍Per quali applicazioni è adatto FDC658AP?

FDC658AP è un prodotto di onsemi nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.

Comunicazioni e apparecchiature di rete

Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.

Sistemi automotive e controllo

Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.

Automazione industriale

Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.

Data center e piattaforme cloud

Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.

FudongIC aiuta i clienti ad acquistare FDC658AP, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.

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Panoramica prodotto

FDC658AP è un prodotto di onsemi nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.

Caratteristiche principali

  • Codice: FDC658AP
  • Produttore: onsemi
  • Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singolo
  • Package: SuperSOT™-6
  • Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
  • Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume

Aree di applicazione

FDC658AP può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.

Acquisto e supporto tecnico

Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per FDC658AP, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.

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Product details

FDC658AP - Domande frequenti

FDC658AP è attualmente disponibile a stock?

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Qual è la quantità minima d’ordine per FDC658AP?

La quantità minima d’ordine per FDC658AP è 1 pezzo/i. FudongIC supporta campioni, piccoli ordini e acquisti in volume.

FDC658AP è originale e genuino?

FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. FDC658AP di onsemi viene acquistato tramite canali affidabili.

Qual è il tempo di consegna tipico per FDC658AP?

Il tempo di consegna dipende dalla posizione dello stock, dalla quantità e dalla destinazione. Per stock disponibile, possiamo organizzare spedizione con DHL, FedEx, UPS o altri servizi express.

Esistono parti alternative o equivalenti per FDC658AP?

In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per FDC658AP. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.

Immagine FDP8D5N10C FDP032N08B-F102 FDN335N FDC8884 FDS8878
Numero parte FDP8D5N10C FDP032N08B-F102 FDN335N FDC8884 FDS8878
Produttore onsemi onsemi onsemi onsemi onsemi
Packaging Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk
Series PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus Active Active Active Active Active
FETType P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 4A (Ta) 4A (Ta) 4A (Ta) 4A (Ta) 4A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 50mOhm @ 4A, 10V 50mOhm @ 4A, 10V 50mOhm @ 4A, 10V 50mOhm @ 4A, 10V 50mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 8.1 nC @ 5 V 8.1 nC @ 5 V 8.1 nC @ 5 V 8.1 nC @ 5 V 8.1 nC @ 5 V
Vgs(Max) ±25V ±25V ±25V ±25V ±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 470 pF @ 15 V 470 pF @ 15 V 470 pF @ 15 V 470 pF @ 15 V 470 pF @ 15 V
FETFeature - - - - -
PowerDissipation(Max) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

FDC658AP Informazioni rilevanti

I seguenti componenti sono inclusi "FDC658AP" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. FDC658AP.

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