onsemi FQB7N10LTM

Numero parte
FQB7N10LTM
Produttore
onsemi
Categoria:
Transistor - FET, MOSFET - Singolo
Imballaggio
D²PAK (TO-263)
Scheda tecnica
FudongICFQB7N10LTM.pdf
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK
Revisione qualità:
★★★★★ 5.0/5 Revisionato dal team QC di FudongIC

Le informazioni di prodotto per FQB7N10LTM sono state verificate in base a codice, produttore, package, stock, requisiti di approvvigionamento e disponibilità di spedizione.

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Applicazioni

🔍Per quali applicazioni è adatto FQB7N10LTM?

FQB7N10LTM è un prodotto di onsemi nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.

Comunicazioni e apparecchiature di rete

Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.

Sistemi automotive e controllo

Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.

Automazione industriale

Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.

Data center e piattaforme cloud

Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.

FudongIC aiuta i clienti ad acquistare FQB7N10LTM, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.

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Panoramica prodotto

FQB7N10LTM è un prodotto di onsemi nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: MOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.

Caratteristiche principali

  • Codice: FQB7N10LTM
  • Produttore: onsemi
  • Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singolo
  • Package: D²PAK (TO-263)
  • Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
  • Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume

Aree di applicazione

FQB7N10LTM può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.

Acquisto e supporto tecnico

Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per FQB7N10LTM, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.

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Product details

FQB7N10LTM - Domande frequenti

FQB7N10LTM è attualmente disponibile a stock?

FQB7N10LTM è indicato su FudongIC con informazioni aggiornate sullo stock. La disponibilità visualizzata è 2277. Poiché lo stock cambia frequentemente, invia una RFQ per confermare disponibilità, prezzo e consegna in tempo reale.

Qual è la quantità minima d’ordine per FQB7N10LTM?

La quantità minima d’ordine per FQB7N10LTM è 1 pezzo/i. FudongIC supporta campioni, piccoli ordini e acquisti in volume.

FQB7N10LTM è originale e genuino?

FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. FQB7N10LTM di onsemi viene acquistato tramite canali affidabili.

Qual è il tempo di consegna tipico per FQB7N10LTM?

Il tempo di consegna dipende dalla posizione dello stock, dalla quantità e dalla destinazione. Per stock disponibile, possiamo organizzare spedizione con DHL, FedEx, UPS o altri servizi express.

Esistono parti alternative o equivalenti per FQB7N10LTM?

In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per FQB7N10LTM. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.

Immagine FQI7N80TU FQD4N20TM FQP3N30 FQPF19N10 FQD3P50TM
Numero parte FQI7N80TU FQD4N20TM FQP3N30 FQPF19N10 FQD3P50TM
Produttore onsemi onsemi onsemi onsemi onsemi
Packaging Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Series QFET® QFET® QFET® QFET® QFET®
ProductStatus Obsolete Obsolete Obsolete Obsolete Obsolete
FETType N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 7.3A (Tc) 7.3A (Tc) 7.3A (Tc) 7.3A (Tc) 7.3A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 350mOhm @ 3.65A, 10V 350mOhm @ 3.65A, 10V 350mOhm @ 3.65A, 10V 350mOhm @ 3.65A, 10V 350mOhm @ 3.65A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 6 nC @ 5 V 6 nC @ 5 V 6 nC @ 5 V 6 nC @ 5 V 6 nC @ 5 V
Vgs(Max) ±20V ±20V ±20V ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 290 pF @ 25 V 290 pF @ 25 V 290 pF @ 25 V 290 pF @ 25 V 290 pF @ 25 V
FETFeature - - - - -
PowerDissipation(Max) 3.75W (Ta), 40W (Tc) 3.75W (Ta), 40W (Tc) 3.75W (Ta), 40W (Tc) 3.75W (Ta), 40W (Tc) 3.75W (Ta), 40W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

FQB7N10LTM Informazioni rilevanti

I seguenti componenti sono inclusi "FQB7N10LTM" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. FQB7N10LTM.

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