onsemi FQD1N50TM

Numero parte
FQD1N50TM
Produttore
onsemi
Categoria:
Transistor - FET, MOSFET - Singolo
Imballaggio
TO-252AA
Scheda tecnica
FudongICFQD1N50TM.pdf
Descrizione
MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK
Revisione qualità:
★★★★★ 5.0/5 Revisionato dal team QC di FudongIC

Le informazioni di prodotto per FQD1N50TM sono state verificate in base a codice, produttore, package, stock, requisiti di approvvigionamento e disponibilità di spedizione.

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Applicazioni

🔍Per quali applicazioni è adatto FQD1N50TM?

FQD1N50TM è un prodotto di onsemi nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.

Comunicazioni e apparecchiature di rete

Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.

Sistemi automotive e controllo

Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.

Automazione industriale

Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.

Data center e piattaforme cloud

Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.

FudongIC aiuta i clienti ad acquistare FQD1N50TM, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.

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Panoramica prodotto

FQD1N50TM è un prodotto di onsemi nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.

Caratteristiche principali

  • Codice: FQD1N50TM
  • Produttore: onsemi
  • Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singolo
  • Package: TO-252AA
  • Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
  • Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume

Aree di applicazione

FQD1N50TM può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.

Acquisto e supporto tecnico

Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per FQD1N50TM, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.

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Product details

FQD1N50TM - Domande frequenti

FQD1N50TM è attualmente disponibile a stock?

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Qual è la quantità minima d’ordine per FQD1N50TM?

La quantità minima d’ordine per FQD1N50TM è 1 pezzo/i. FudongIC supporta campioni, piccoli ordini e acquisti in volume.

FQD1N50TM è originale e genuino?

FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. FQD1N50TM di onsemi viene acquistato tramite canali affidabili.

Qual è il tempo di consegna tipico per FQD1N50TM?

Il tempo di consegna dipende dalla posizione dello stock, dalla quantità e dalla destinazione. Per stock disponibile, possiamo organizzare spedizione con DHL, FedEx, UPS o altri servizi express.

Esistono parti alternative o equivalenti per FQD1N50TM?

In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per FQD1N50TM. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.

Immagine FQI7N80TU FQD4N20TM FQP3N30 FQPF19N10 FQD3P50TM
Numero parte FQI7N80TU FQD4N20TM FQP3N30 FQPF19N10 FQD3P50TM
Produttore onsemi onsemi onsemi onsemi onsemi
Packaging Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Series QFET® QFET® QFET® QFET® QFET®
ProductStatus Obsolete Obsolete Obsolete Obsolete Obsolete
FETType N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V 500 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 1.1A (Tc) 1.1A (Tc) 1.1A (Tc) 1.1A (Tc) 1.1A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V 10V 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 9Ohm @ 550mA, 10V 9Ohm @ 550mA, 10V 9Ohm @ 550mA, 10V 9Ohm @ 550mA, 10V 9Ohm @ 550mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 5.5 nC @ 10 V 5.5 nC @ 10 V 5.5 nC @ 10 V 5.5 nC @ 10 V 5.5 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±30V ±30V ±30V ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 150 pF @ 25 V 150 pF @ 25 V 150 pF @ 25 V 150 pF @ 25 V 150 pF @ 25 V
FETFeature - - - - -
PowerDissipation(Max) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

FQD1N50TM Informazioni rilevanti

I seguenti componenti sono inclusi "FQD1N50TM" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. FQD1N50TM.

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