FQI12N60CTU.pdf
Le informazioni di prodotto per FQI12N60CTU sono state verificate in base a codice, produttore, package, stock, requisiti di approvvigionamento e disponibilità di spedizione.
Prezzo unitario$0
Prezzo totale$0


FQI12N60CTU è un prodotto di onsemi nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.
Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.
Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.
Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.
Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.
FudongIC aiuta i clienti ad acquistare FQI12N60CTU, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.
Richiedi preventivo e supporto tecnico per FQI12N60CTUFQI12N60CTU è un prodotto di onsemi nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.
FQI12N60CTU può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.
Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per FQI12N60CTU, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.
FQI12N60CTU è indicato su FudongIC con informazioni aggiornate sullo stock. La disponibilità visualizzata è 2329. Poiché lo stock cambia frequentemente, invia una RFQ per confermare disponibilità, prezzo e consegna in tempo reale.
La quantità minima d’ordine per FQI12N60CTU è 1 pezzo/i. FudongIC supporta campioni, piccoli ordini e acquisti in volume.
FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. FQI12N60CTU di onsemi viene acquistato tramite canali affidabili.
Il tempo di consegna dipende dalla posizione dello stock, dalla quantità e dalla destinazione. Per stock disponibile, possiamo organizzare spedizione con DHL, FedEx, UPS o altri servizi express.
In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per FQI12N60CTU. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.
| Immagine | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
|
| Numero parte | FQI7N80TU | FQD4N20TM | FQP3N30 | FQPF19N10 | FQD3P50TM |
| Produttore | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| Packaging | Tube | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Series | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| ProductStatus | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete |
| FETType | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 12A (Tc) | 12A (Tc) | 12A (Tc) | 12A (Tc) | 12A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V | 10V | 10V | 10V | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 650mOhm @ 6A, 10V | 650mOhm @ 6A, 10V | 650mOhm @ 6A, 10V | 650mOhm @ 6A, 10V | 650mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 63 nC @ 10 V | 63 nC @ 10 V | 63 nC @ 10 V | 63 nC @ 10 V | 63 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 2290 pF @ 25 V | 2290 pF @ 25 V | 2290 pF @ 25 V | 2290 pF @ 25 V | 2290 pF @ 25 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 3.13W (Ta), 225W (Tc) | 3.13W (Ta), 225W (Tc) | 3.13W (Ta), 225W (Tc) | 3.13W (Ta), 225W (Tc) | 3.13W (Ta), 225W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Si prega di inviare una RFQ. Risponderemo immediatamente.

STMicroelectronics

Toshiba Semiconductor and Storage

Vishay Siliconix

onsemi
Vishay Siliconix
STMicroelectronics