onsemi FQI12N60CTU

Numero parte
FQI12N60CTU
Produttore
onsemi
Categoria:
Transistor - FET, MOSFET - Singolo
Imballaggio
I2PAK (TO-262)
Scheda tecnica
FudongICFQI12N60CTU.pdf
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK
Revisione qualità:
★★★★★ 5.0/5 Revisionato dal team QC di FudongIC

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Applicazioni

🔍Per quali applicazioni è adatto FQI12N60CTU?

FQI12N60CTU è un prodotto di onsemi nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.

Comunicazioni e apparecchiature di rete

Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.

Sistemi automotive e controllo

Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.

Automazione industriale

Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.

Data center e piattaforme cloud

Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.

FudongIC aiuta i clienti ad acquistare FQI12N60CTU, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.

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Panoramica prodotto

FQI12N60CTU è un prodotto di onsemi nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.

Caratteristiche principali

  • Codice: FQI12N60CTU
  • Produttore: onsemi
  • Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singolo
  • Package: I2PAK (TO-262)
  • Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
  • Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume

Aree di applicazione

FQI12N60CTU può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.

Acquisto e supporto tecnico

Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per FQI12N60CTU, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.

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Product details

FQI12N60CTU - Domande frequenti

FQI12N60CTU è attualmente disponibile a stock?

FQI12N60CTU è indicato su FudongIC con informazioni aggiornate sullo stock. La disponibilità visualizzata è 2329. Poiché lo stock cambia frequentemente, invia una RFQ per confermare disponibilità, prezzo e consegna in tempo reale.

Qual è la quantità minima d’ordine per FQI12N60CTU?

La quantità minima d’ordine per FQI12N60CTU è 1 pezzo/i. FudongIC supporta campioni, piccoli ordini e acquisti in volume.

FQI12N60CTU è originale e genuino?

FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. FQI12N60CTU di onsemi viene acquistato tramite canali affidabili.

Qual è il tempo di consegna tipico per FQI12N60CTU?

Il tempo di consegna dipende dalla posizione dello stock, dalla quantità e dalla destinazione. Per stock disponibile, possiamo organizzare spedizione con DHL, FedEx, UPS o altri servizi express.

Esistono parti alternative o equivalenti per FQI12N60CTU?

In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per FQI12N60CTU. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.

Immagine FQI7N80TU FQD4N20TM FQP3N30 FQPF19N10 FQD3P50TM
Numero parte FQI7N80TU FQD4N20TM FQP3N30 FQPF19N10 FQD3P50TM
Produttore onsemi onsemi onsemi onsemi onsemi
Packaging Tube Tube Tube Tube Tube
Series QFET® QFET® QFET® QFET® QFET®
ProductStatus Obsolete Obsolete Obsolete Obsolete Obsolete
FETType N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V 600 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 12A (Tc) 12A (Tc) 12A (Tc) 12A (Tc) 12A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V 10V 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 650mOhm @ 6A, 10V 650mOhm @ 6A, 10V 650mOhm @ 6A, 10V 650mOhm @ 6A, 10V 650mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 63 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±30V ±30V ±30V ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 2290 pF @ 25 V 2290 pF @ 25 V 2290 pF @ 25 V 2290 pF @ 25 V 2290 pF @ 25 V
FETFeature - - - - -
PowerDissipation(Max) 3.13W (Ta), 225W (Tc) 3.13W (Ta), 225W (Tc) 3.13W (Ta), 225W (Tc) 3.13W (Ta), 225W (Tc) 3.13W (Ta), 225W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

FQI12N60CTU Informazioni rilevanti

I seguenti componenti sono inclusi "FQI12N60CTU" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. FQI12N60CTU.

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