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Carica BOM
Toshiba Semiconductor and Storage HN2S02FU(TE85L,F)
- Numero parte
- HN2S02FU(TE85L,F)
- Produttore
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Categoria:
- Diodi - Raddrizzatori - Array
- Imballaggio
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Scheda tecnica
-
HN2S02FU(TE85L,F).pdf
- Descrizione
- SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
- Revisione qualità:
-
★★★★★ 5.0/5 Revisionato dal team QC di FudongIC
Le informazioni di prodotto per HN2S02FU(TE85L,F) sono state verificate in base a codice, produttore, package, stock, requisiti di approvvigionamento e disponibilità di spedizione.
- Quantità
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Per quali applicazioni è adatto HN2S02FU(TE85L,F)?
HN2S02FU(TE85L,F) è un prodotto di Toshiba Semiconductor and Storage nella categoria Diodi - Raddrizzatori - Array. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.
Comunicazioni e apparecchiature di rete
Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.
Sistemi automotive e controllo
Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.
Automazione industriale
Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.
Data center e piattaforme cloud
Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.
FudongIC aiuta i clienti ad acquistare HN2S02FU(TE85L,F), inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.
Richiedi preventivo e supporto tecnico per HN2S02FU(TE85L,F)Panoramica prodotto
HN2S02FU(TE85L,F) è un prodotto di Toshiba Semiconductor and Storage nella categoria Diodi - Raddrizzatori - Array. Descrizione: SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.
Caratteristiche principali
- Codice: HN2S02FU(TE85L,F)
- Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
- Categoria: Diodi - Raddrizzatori - Array
- Package: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
- Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume
Aree di applicazione
HN2S02FU(TE85L,F) può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.
Acquisto e supporto tecnico
Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per HN2S02FU(TE85L,F), invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.
Prodotti correlati
Product details
- Packaging:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
- Series:-
- ProductStatus:Active
- DiodeConfiguration:3 Independent
- DiodeType:Schottky
- Voltage-DCReverse(Vr)(Max):40 V
- Current-AverageRectified(Io)(perDiode):100mA
- Voltage-Forward(Vf)(Max)@If:600 mV @ 100 mA
- Speed:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
- ReverseRecoveryTime(trr):-
- Current-ReverseLeakage@Vr:5 µA @ 40 V
- OperatingTemperature-Junction:125°C (Max)
- MountingType:Surface Mount
- Categoria:
- Scheda tecnica
HN2S02FU(TE85L,F) - Domande frequenti
HN2S02FU(TE85L,F) è indicato su FudongIC con informazioni aggiornate sullo stock. La disponibilità visualizzata è 3614. Poiché lo stock cambia frequentemente, invia una RFQ per confermare disponibilità, prezzo e consegna in tempo reale.
La quantità minima d’ordine per HN2S02FU(TE85L,F) è 1 pezzo/i. FudongIC supporta campioni, piccoli ordini e acquisti in volume.
FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. HN2S02FU(TE85L,F) di Toshiba Semiconductor and Storage viene acquistato tramite canali affidabili.
Il tempo di consegna dipende dalla posizione dello stock, dalla quantità e dalla destinazione. Per stock disponibile, possiamo organizzare spedizione con DHL, FedEx, UPS o altri servizi express.
In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per HN2S02FU(TE85L,F). Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.
| Immagine |  |
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| Numero parte | 30JL2C41(F) | U20DL2C48A(TE24L,Q | 1SS301SU,LF | 1SS360(T5L,F,T) | HN1D04FUTE85LF |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Packaging | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | - | - | - | - | - |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| DiodeConfiguration | 3 Independent | 3 Independent | 3 Independent | 3 Independent | 3 Independent |
| DiodeType | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 40 V | 40 V | 40 V | 40 V | 40 V |
| Current-AverageRectified(Io)(perDiode) | 100mA | 100mA | 100mA | 100mA | 100mA |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 600 mV @ 100 mA | 600 mV @ 100 mA | 600 mV @ 100 mA | 600 mV @ 100 mA | 600 mV @ 100 mA |
| Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| ReverseRecoveryTime(trr) | - | - | - | - | - |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 5 µA @ 40 V | 5 µA @ 40 V | 5 µA @ 40 V | 5 µA @ 40 V | 5 µA @ 40 V |
| OperatingTemperature-Junction | 125°C (Max) | 125°C (Max) | 125°C (Max) | 125°C (Max) | 125°C (Max) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays(5629)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – HF(2777)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren(42446)
HN2S02FU(TE85L,F) Informazioni rilevanti
I seguenti componenti sono inclusi "HN2S02FU(TE85L,F)" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. HN2S02FU(TE85L,F).
- Numero parte
- Produttore
- Imballaggio
- Descrizione
-
BAV99W,115
NXP Semiconductors
-
NEXPERIA BAV99 - DUAL HIGH-SPEED
I seguenti componenti sono quelli più cercati in: Diodi - Raddrizzatori - Array.
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MBRD650CTTRL
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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MBRD650CTTRR
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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MBRD660CTTR
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
-
MBRD660CTTRL
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
-
MBRD660CTTRR
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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MURB1020CTTRL
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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