onsemi HUF75307T3ST

Numero parte
HUF75307T3ST
Produttore
onsemi
Categoria:
Transistor - FET, MOSFET - Singolo
Imballaggio
SOT-223-4
Scheda tecnica
FudongICHUF75307T3ST.pdf
Descrizione
MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4
Revisione qualità:
★★★★★ 5.0/5 Revisionato dal team QC di FudongIC

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Applicazioni

🔍Per quali applicazioni è adatto HUF75307T3ST?

HUF75307T3ST è un prodotto di onsemi nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.

Comunicazioni e apparecchiature di rete

Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.

Sistemi automotive e controllo

Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.

Automazione industriale

Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.

Data center e piattaforme cloud

Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.

FudongIC aiuta i clienti ad acquistare HUF75307T3ST, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.

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Panoramica prodotto

HUF75307T3ST è un prodotto di onsemi nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.

Caratteristiche principali

  • Codice: HUF75307T3ST
  • Produttore: onsemi
  • Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singolo
  • Package: SOT-223-4
  • Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
  • Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume

Aree di applicazione

HUF75307T3ST può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.

Acquisto e supporto tecnico

Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per HUF75307T3ST, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.

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Product details

HUF75307T3ST - Domande frequenti

HUF75307T3ST è attualmente disponibile a stock?

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Qual è la quantità minima d’ordine per HUF75307T3ST?

La quantità minima d’ordine per HUF75307T3ST è 1 pezzo/i. FudongIC supporta campioni, piccoli ordini e acquisti in volume.

HUF75307T3ST è originale e genuino?

FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. HUF75307T3ST di onsemi viene acquistato tramite canali affidabili.

Qual è il tempo di consegna tipico per HUF75307T3ST?

Il tempo di consegna dipende dalla posizione dello stock, dalla quantità e dalla destinazione. Per stock disponibile, possiamo organizzare spedizione con DHL, FedEx, UPS o altri servizi express.

Esistono parti alternative o equivalenti per HUF75307T3ST?

In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per HUF75307T3ST. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.

Immagine ECH8411-TL-E IRF530 FSS273-TL-E 2SK3702 FQPF13N50C-ON
Numero parte ECH8411-TL-E IRF530 FSS273-TL-E 2SK3702 FQPF13N50C-ON
Produttore onsemi onsemi onsemi onsemi onsemi
Packaging Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Series - - - - -
ProductStatus Obsolete Obsolete Obsolete Obsolete Obsolete
FETType N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V 55 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 2.6A (Ta) 2.6A (Ta) 2.6A (Ta) 2.6A (Ta) 2.6A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V 10V 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 90mOhm @ 2.6A, 10V 90mOhm @ 2.6A, 10V 90mOhm @ 2.6A, 10V 90mOhm @ 2.6A, 10V 90mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 17 nC @ 20 V 17 nC @ 20 V 17 nC @ 20 V 17 nC @ 20 V 17 nC @ 20 V
Vgs(Max) ±20V ±20V ±20V ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 250 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V
FETFeature - - - - -
PowerDissipation(Max) 1.1W (Ta) 1.1W (Ta) 1.1W (Ta) 1.1W (Ta) 1.1W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

HUF75307T3ST Informazioni rilevanti

I seguenti componenti sono inclusi "HUF75307T3ST" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. HUF75307T3ST.

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