Vishay Siliconix IRFIBF30G

Numero parte
IRFIBF30G
Produttore
Vishay Siliconix
Categoria:
Transistor - FET, MOSFET - Singolo
Imballaggio
TO-220-3
Scheda tecnica
FudongICIRFIBF30G.pdf
Descrizione
MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3
Revisione qualità:
★★★★★ 5.0/5 Revisionato dal team QC di FudongIC

Le informazioni di prodotto per IRFIBF30G sono state verificate in base a codice, produttore, package, stock, requisiti di approvvigionamento e disponibilità di spedizione.

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Applicazioni

🔍Per quali applicazioni è adatto IRFIBF30G?

IRFIBF30G è un prodotto di Vishay Siliconix nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.

Comunicazioni e apparecchiature di rete

Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.

Sistemi automotive e controllo

Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.

Automazione industriale

Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.

Data center e piattaforme cloud

Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.

FudongIC aiuta i clienti ad acquistare IRFIBF30G, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.

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Panoramica prodotto

IRFIBF30G è un prodotto di Vishay Siliconix nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.

Caratteristiche principali

  • Codice: IRFIBF30G
  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singolo
  • Package: TO-220-3
  • Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
  • Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume

Aree di applicazione

IRFIBF30G può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.

Acquisto e supporto tecnico

Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per IRFIBF30G, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.

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Product details

IRFIBF30G - Domande frequenti

IRFIBF30G è attualmente disponibile a stock?

IRFIBF30G è indicato su FudongIC con informazioni aggiornate sullo stock. La disponibilità visualizzata è 3588. Poiché lo stock cambia frequentemente, invia una RFQ per confermare disponibilità, prezzo e consegna in tempo reale.

Qual è la quantità minima d’ordine per IRFIBF30G?

La quantità minima d’ordine per IRFIBF30G è 1 pezzo/i. FudongIC supporta campioni, piccoli ordini e acquisti in volume.

IRFIBF30G è originale e genuino?

FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. IRFIBF30G di Vishay Siliconix viene acquistato tramite canali affidabili.

Qual è il tempo di consegna tipico per IRFIBF30G?

Il tempo di consegna dipende dalla posizione dello stock, dalla quantità e dalla destinazione. Per stock disponibile, possiamo organizzare spedizione con DHL, FedEx, UPS o altri servizi express.

Esistono parti alternative o equivalenti per IRFIBF30G?

In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per IRFIBF30G. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.

Immagine SIHP18N50C-E3 IRFIBE20GPBF SIHF9Z24STRR-GE3 IRF830BPBF-BE3 SIHP6N40D-BE3
Numero parte SIHP18N50C-E3 IRFIBE20GPBF SIHF9Z24STRR-GE3 IRF830BPBF-BE3 SIHP6N40D-BE3
Produttore Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Packaging Tube Tube Tube Tube Tube
Series - - - - -
ProductStatus Obsolete Obsolete Obsolete Obsolete Obsolete
FETType N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 900 V 900 V 900 V 900 V 900 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 1.9A (Tc) 1.9A (Tc) 1.9A (Tc) 1.9A (Tc) 1.9A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V 10V 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 3.7Ohm @ 1.1A, 10V 3.7Ohm @ 1.1A, 10V 3.7Ohm @ 1.1A, 10V 3.7Ohm @ 1.1A, 10V 3.7Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 78 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V ±20V ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1200 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V
FETFeature - - - - -
PowerDissipation(Max) 35W (Tc) 35W (Tc) 35W (Tc) 35W (Tc) 35W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

IRFIBF30G Informazioni rilevanti

I seguenti componenti sono inclusi "IRFIBF30G" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. IRFIBF30G.

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