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IXYS IXFH12N100Q

Name: IXFH12N100Q
Brand: IXYS
SKU: IXFH12N100Q
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

Confronta

Numero parte: IXFH12N100Q

Produttore: IXYS

Categoria:: Transistor - FET, MOSFET - Singolo

Imballaggio: TO-247AD (IXFH)

Scheda tecnica: IXFH12N100Q.pdf

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD

Revisione qualità:: ★★★★★ 5.0/5 Revisionato dal team QC di FudongIC

Le informazioni di prodotto per IXFH12N100Q sono state verificate in base a codice, produttore, package, stock, requisiti di approvvigionamento e disponibilità di spedizione.

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Spedizione

Applicazioni

🔍Per quali applicazioni è adatto IXFH12N100Q?

IXFH12N100Q è un prodotto di IXYS nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.

Comunicazioni e apparecchiature di rete

Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.

Sistemi automotive e controllo

Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.

Automazione industriale

Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.

Data center e piattaforme cloud

Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.

FudongIC aiuta i clienti ad acquistare IXFH12N100Q, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.

Richiedi preventivo e supporto tecnico per IXFH12N100Q

Panoramica prodotto

IXFH12N100Q è un prodotto di IXYS nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.

Caratteristiche principali

Codice: IXFH12N100Q
Produttore: IXYS
Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singolo
Package: TO-247AD (IXFH)
Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume

Aree di applicazione

IXFH12N100Q può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.

Acquisto e supporto tecnico

Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per IXFH12N100Q, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.

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Product details

Packaging:
Tube
Series:
HiPerFET™, Q Class
ProductStatus:
Active
FETType:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
1000 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
12A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):
10V
RdsOn(Max)@IdVgs:
1.05Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id:
5.5V @ 4mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
90 nC @ 10 V
Vgs(Max):
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
2900 pF @ 25 V
FETFeature:
-
PowerDissipation(Max):
300W (Tc)
OperatingTemperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType:
Through Hole
Categoria:
Transistor - FET, MOSFET - Singolo
Scheda tecnica
IXFH12N100Q.pdf

IXFH12N100Q - Domande frequenti

IXFH12N100Q è attualmente disponibile a stock?▼

IXFH12N100Q è indicato su FudongIC con informazioni aggiornate sullo stock. La disponibilità visualizzata è 3511. Poiché lo stock cambia frequentemente, invia una RFQ per confermare disponibilità, prezzo e consegna in tempo reale.

Qual è la quantità minima d’ordine per IXFH12N100Q?▼

La quantità minima d’ordine per IXFH12N100Q è 1 pezzo/i. FudongIC supporta campioni, piccoli ordini e acquisti in volume.

IXFH12N100Q è originale e genuino?▼

FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. IXFH12N100Q di IXYS viene acquistato tramite canali affidabili.

Qual è il tempo di consegna tipico per IXFH12N100Q?▼

Il tempo di consegna dipende dalla posizione dello stock, dalla quantità e dalla destinazione. Per stock disponibile, possiamo organizzare spedizione con DHL, FedEx, UPS o altri servizi express.

Esistono parti alternative o equivalenti per IXFH12N100Q?▼

In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per IXFH12N100Q. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.

Immagine
Numero parte	IXFH15N80Q	IXFH52N30Q	IXFK90N20Q	IXFX90N20Q	IXFA4N100Q
Produttore	IXYS	IXYS	IXYS	IXYS	IXYS
Packaging	Tube	Tube	Tube	Tube	Tube
Series	HiPerFET™, Q Class	HiPerFET™, Q Class	HiPerFET™, Q Class	HiPerFET™, Q Class	HiPerFET™, Q Class
ProductStatus	Active	Active	Active	Active	Active
FETType	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	1000 V	1000 V	1000 V	1000 V	1000 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	12A (Tc)	12A (Tc)	12A (Tc)	12A (Tc)	12A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)	10V	10V	10V	10V	10V
RdsOn(Max)@IdVgs	1.05Ohm @ 6A, 10V	1.05Ohm @ 6A, 10V	1.05Ohm @ 6A, 10V	1.05Ohm @ 6A, 10V	1.05Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id	5.5V @ 4mA	5.5V @ 4mA	5.5V @ 4mA	5.5V @ 4mA	5.5V @ 4mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	90 nC @ 10 V	90 nC @ 10 V	90 nC @ 10 V	90 nC @ 10 V	90 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V	±20V	±20V	±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	2900 pF @ 25 V	2900 pF @ 25 V	2900 pF @ 25 V	2900 pF @ 25 V	2900 pF @ 25 V
FETFeature	-	-	-	-	-
PowerDissipation(Max)	300W (Tc)	300W (Tc)	300W (Tc)	300W (Tc)	300W (Tc)
OperatingTemperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole