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IXTK170P10P è un prodotto di IXYS nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.
Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.
Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.
Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.
Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.
FudongIC aiuta i clienti ad acquistare IXTK170P10P, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.
Richiedi preventivo e supporto tecnico per IXTK170P10PIXTK170P10P è un prodotto di IXYS nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: MOSFET P-CH 100V 170A TO264. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.
IXTK170P10P può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.
Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per IXTK170P10P, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.
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La quantità minima d’ordine per IXTK170P10P è 1 pezzo/i. FudongIC supporta campioni, piccoli ordini e acquisti in volume.
FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. IXTK170P10P di IXYS viene acquistato tramite canali affidabili.
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In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per IXTK170P10P. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.
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| Numero parte | IXTA36P15P-TRL | IXTP10P50P | IXTA52P10P | IXTP26P20P | IXTQ52P10P |
| Produttore | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| Packaging | Tube | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Series | PolarP™ | PolarP™ | PolarP™ | PolarP™ | PolarP™ |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 170A (Tc) | 170A (Tc) | 170A (Tc) | 170A (Tc) | 170A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V | 10V | 10V | 10V | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 12mOhm @ 500mA, 10V | 12mOhm @ 500mA, 10V | 12mOhm @ 500mA, 10V | 12mOhm @ 500mA, 10V | 12mOhm @ 500mA, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 240 nC @ 10 V | 240 nC @ 10 V | 240 nC @ 10 V | 240 nC @ 10 V | 240 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 12600 pF @ 25 V | 12600 pF @ 25 V | 12600 pF @ 25 V | 12600 pF @ 25 V | 12600 pF @ 25 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 890W (Tc) | 890W (Tc) | 890W (Tc) | 890W (Tc) | 890W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
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