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NTE2389 è un prodotto di NTE Electronics, Inc nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.
Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.
Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.
Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.
Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.
FudongIC aiuta i clienti ad acquistare NTE2389, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.
Richiedi preventivo e supporto tecnico per NTE2389NTE2389 è un prodotto di NTE Electronics, Inc nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: MOSFET N-CHANNEL 60V 35A TO220. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.
NTE2389 può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.
Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per NTE2389, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.
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La quantità minima d’ordine per NTE2389 è 1 pezzo/i. FudongIC supporta campioni, piccoli ordini e acquisti in volume.
FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. NTE2389 di NTE Electronics, Inc viene acquistato tramite canali affidabili.
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In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per NTE2389. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.
| Immagine | ![]() |
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| Numero parte | NTE491 | 2N7002 | NTE490 | BS170 | NTE2379 |
| Produttore | NTE Electronics, Inc | NTE Electronics, Inc | NTE Electronics, Inc | NTE Electronics, Inc | NTE Electronics, Inc |
| Packaging | Bag | Bag | Bag | Bag | Bag |
| Series | - | - | - | - | - |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 35A (Ta) | 35A (Ta) | 35A (Ta) | 35A (Ta) | 35A (Ta) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V | 10V | 10V | 10V | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 45mOhm @ 20A, 10V | 45mOhm @ 20A, 10V | 45mOhm @ 20A, 10V | 45mOhm @ 20A, 10V | 45mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | - | - | - | - | - |
| Vgs(Max) | 30V | 30V | 30V | 30V | 30V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 2000 pF @ 25 V | 2000 pF @ 25 V | 2000 pF @ 25 V | 2000 pF @ 25 V | 2000 pF @ 25 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 125W (Ta) | 125W (Ta) | 125W (Ta) | 125W (Ta) | 125W (Ta) |
| OperatingTemperature | 175°C (TJ) | 175°C (TJ) | 175°C (TJ) | 175°C (TJ) | 175°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
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