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NTJS4151PT1G è un prodotto di onsemi nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.
Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.
Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.
Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.
Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.
FudongIC aiuta i clienti ad acquistare NTJS4151PT1G, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.
Richiedi preventivo e supporto tecnico per NTJS4151PT1GNTJS4151PT1G è un prodotto di onsemi nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: MOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.
NTJS4151PT1G può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.
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In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per NTJS4151PT1G. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.
| Immagine | ![]() |
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| Numero parte | ECH8411-TL-E | IRF530 | FSS273-TL-E | 2SK3702 | FQPF13N50C-ON |
| Produttore | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| Packaging | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk |
| Series | - | - | - | - | - |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 3.3A (Ta) | 3.3A (Ta) | 3.3A (Ta) | 3.3A (Ta) | 3.3A (Ta) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 60mOhm @ 3.3A, 4.5V | 60mOhm @ 3.3A, 4.5V | 60mOhm @ 3.3A, 4.5V | 60mOhm @ 3.3A, 4.5V | 60mOhm @ 3.3A, 4.5V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 1.2V @ 250µA | 1.2V @ 250µA | 1.2V @ 250µA | 1.2V @ 250µA | 1.2V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 10 nC @ 4.5 V | 10 nC @ 4.5 V | 10 nC @ 4.5 V | 10 nC @ 4.5 V | 10 nC @ 4.5 V |
| Vgs(Max) | ±12V | ±12V | ±12V | ±12V | ±12V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 850 pF @ 10 V | 850 pF @ 10 V | 850 pF @ 10 V | 850 pF @ 10 V | 850 pF @ 10 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 1W (Ta) | 1W (Ta) | 1W (Ta) | 1W (Ta) | 1W (Ta) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
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