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Carica BOM
onsemi NXH040P120MNF1PG
- Numero parte
- NXH040P120MNF1PG
- Produttore
- onsemi
- Categoria:
- Transistor - FET, MOSFET - Array
- Imballaggio
- Module
- Scheda tecnica
-
NXH040P120MNF1PG.pdf
- Descrizione
- PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 40MO
- Revisione qualità:
-
★★★★★ 5.0/5 Revisionato dal team QC di FudongIC
Le informazioni di prodotto per NXH040P120MNF1PG sono state verificate in base a codice, produttore, package, stock, requisiti di approvvigionamento e disponibilità di spedizione.
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Per quali applicazioni è adatto NXH040P120MNF1PG?
NXH040P120MNF1PG è un prodotto di onsemi nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Array. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.
Comunicazioni e apparecchiature di rete
Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.
Sistemi automotive e controllo
Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.
Automazione industriale
Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.
Data center e piattaforme cloud
Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.
FudongIC aiuta i clienti ad acquistare NXH040P120MNF1PG, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.
Richiedi preventivo e supporto tecnico per NXH040P120MNF1PGPanoramica prodotto
NXH040P120MNF1PG è un prodotto di onsemi nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Array. Descrizione: PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 40MO. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.
Caratteristiche principali
- Codice: NXH040P120MNF1PG
- Produttore: onsemi
- Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Array
- Package: Module
- Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
- Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume
Aree di applicazione
NXH040P120MNF1PG può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.
Acquisto e supporto tecnico
Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per NXH040P120MNF1PG, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.
Prodotti correlati
Product details
- Packaging:Tray
- Series:-
- ProductStatus:Active
- FETType:2 N-Channel (Dual) Common Source
- FETFeature:Silicon Carbide (SiC)
- DraintoSourceVoltage(Vdss):1200V (1.2kV)
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:30A (Tc)
- RdsOn(Max)@IdVgs:56mOhm @ 25A, 20V
- Vgs(th)(Max)@Id:4.3V @ 10mA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:122.1nC @ 20V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:1505pF @ 800V
- Power-Max:74W
- OperatingTemperature:-40°C ~ 150°C (TJ)
- MountingType:Chassis Mount
- Categoria:
- Scheda tecnica
NXH040P120MNF1PG - Domande frequenti
NXH040P120MNF1PG è indicato su FudongIC con informazioni aggiornate sullo stock. La disponibilità visualizzata è 2480. Poiché lo stock cambia frequentemente, invia una RFQ per confermare disponibilità, prezzo e consegna in tempo reale.
La quantità minima d’ordine per NXH040P120MNF1PG è 1 pezzo/i. FudongIC supporta campioni, piccoli ordini e acquisti in volume.
FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. NXH040P120MNF1PG di onsemi viene acquistato tramite canali affidabili.
Il tempo di consegna dipende dalla posizione dello stock, dalla quantità e dalla destinazione. Per stock disponibile, possiamo organizzare spedizione con DHL, FedEx, UPS o altri servizi express.
In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per NXH040P120MNF1PG. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.
| Immagine |  |
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| Numero parte | NTUD3170NZT5G | NTUD3174NZT5G | FDG6301N | ECH8697R-TL-W | NTMD5838NLR2G |
| Produttore | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| Packaging | Tray | Tray | Tray | Tray | Tray |
| Series | - | - | - | - | - |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | 2 N-Channel (Dual) Common Source | 2 N-Channel (Dual) Common Source | 2 N-Channel (Dual) Common Source | 2 N-Channel (Dual) Common Source | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| FETFeature | Silicon Carbide (SiC) | Silicon Carbide (SiC) | Silicon Carbide (SiC) | Silicon Carbide (SiC) | Silicon Carbide (SiC) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 1200V (1.2kV) | 1200V (1.2kV) | 1200V (1.2kV) | 1200V (1.2kV) | 1200V (1.2kV) |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 30A (Tc) | 30A (Tc) | 30A (Tc) | 30A (Tc) | 30A (Tc) |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 56mOhm @ 25A, 20V | 56mOhm @ 25A, 20V | 56mOhm @ 25A, 20V | 56mOhm @ 25A, 20V | 56mOhm @ 25A, 20V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4.3V @ 10mA | 4.3V @ 10mA | 4.3V @ 10mA | 4.3V @ 10mA | 4.3V @ 10mA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 122.1nC @ 20V | 122.1nC @ 20V | 122.1nC @ 20V | 122.1nC @ 20V | 122.1nC @ 20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 1505pF @ 800V | 1505pF @ 800V | 1505pF @ 800V | 1505pF @ 800V | 1505pF @ 800V |
| Power-Max | 74W | 74W | 74W | 74W | 74W |
| OperatingTemperature | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays(5629)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – HF(2777)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren(42446)
NXH040P120MNF1PG Informazioni rilevanti
I seguenti componenti sono inclusi "NXH040P120MNF1PG" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. NXH040P120MNF1PG.
- Numero parte
- Produttore
- Imballaggio
- Descrizione
-
2N7002DW-TP
Micro Commercial Co
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
-
DMC2700UDM-7
Diodes Incorporated
SOT-23-6
MOSFET N/P-CH 20V SOT26
-
BSC0924NDIATMA1
Infineon Technologies
8-PowerTDFN
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
-
IRF7324TRPBF
Infineon Technologies
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC
I seguenti componenti sono quelli più cercati in: Transistor - FET, MOSFET - Array.
Si prega di inviare una RFQ.
Si prega di inviare una RFQ. Risponderemo immediatamente.
-
EPC2106
EPC
-
EPC2110
EPC
-
EPC2104
EPC
-
BSM300D12P2E001
Rohm Semiconductor
-
2N7002DW-TP
Micro Commercial Co
-
SSM6N37FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
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- 20,000.000 Unità prodotto standard
- 1800+ Produttori mondiali
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