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Carica BOM
Panjit International Inc. PJMD390N65EC_L2_00001
- Numero parte
- PJMD390N65EC_L2_00001
- Produttore
- Panjit International Inc.
- Categoria:
- Transistor - FET, MOSFET - Singolo
- Imballaggio
- TO-252AA
- Scheda tecnica
PJMD390N65EC_L2_00001.pdf
- Descrizione
- 650V SUPER JUNCITON MOSFET
- Revisione qualità:
-
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PJMD390N65EC_L2_00001 è un prodotto di Panjit International Inc. nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.
Comunicazioni e apparecchiature di rete
Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.
Sistemi automotive e controllo
Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.
Automazione industriale
Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.
Data center e piattaforme cloud
Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.
FudongIC aiuta i clienti ad acquistare PJMD390N65EC_L2_00001, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.
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PJMD390N65EC_L2_00001 è un prodotto di Panjit International Inc. nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: 650V SUPER JUNCITON MOSFET. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.
Caratteristiche principali
- Codice: PJMD390N65EC_L2_00001
- Produttore: Panjit International Inc.
- Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singolo
- Package: TO-252AA
- Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
- Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume
Aree di applicazione
PJMD390N65EC_L2_00001 può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.
Acquisto e supporto tecnico
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Product details
- Packaging:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
- Series:-
- ProductStatus:Active
- FETType:N-Channel
- Technology:MOSFET (Metal Oxide)
- DraintoSourceVoltage(Vdss):650 V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:10A (Tc)
- DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):10V
- RdsOn(Max)@IdVgs:390mOhm @ 5A, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:4V @ 250µA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:19 nC @ 10 V
- Vgs(Max):±30V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:726 pF @ 400 V
- FETFeature:-
- PowerDissipation(Max):87.5W (Tc)
- OperatingTemperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount
- Categoria:
- Scheda tecnicaPJMD390N65EC_L2_00001.pdf
PJMD390N65EC_L2_00001 - Domande frequenti
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In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per PJMD390N65EC_L2_00001. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.
| Immagine |  |
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| Numero parte | PJMB390N65EC_R2_00601 | PJF6NA70_T0_00001 | PJA3416A_R1_00001 | PJA3432_R1_00001 | PJA3476_R1_00001 |
| Produttore | Panjit International Inc. | Panjit International Inc. | Panjit International Inc. | Panjit International Inc. | Panjit International Inc. |
| Packaging | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | - | - | - | - | - |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 650 V | 650 V | 650 V | 650 V | 650 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 10A (Tc) | 10A (Tc) | 10A (Tc) | 10A (Tc) | 10A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V | 10V | 10V | 10V | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 390mOhm @ 5A, 10V | 390mOhm @ 5A, 10V | 390mOhm @ 5A, 10V | 390mOhm @ 5A, 10V | 390mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 19 nC @ 10 V | 19 nC @ 10 V | 19 nC @ 10 V | 19 nC @ 10 V | 19 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 726 pF @ 400 V | 726 pF @ 400 V | 726 pF @ 400 V | 726 pF @ 400 V | 726 pF @ 400 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 87.5W (Tc) | 87.5W (Tc) | 87.5W (Tc) | 87.5W (Tc) | 87.5W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays(5629)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – HF(2777)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren(42446)
PJMD390N65EC_L2_00001 Informazioni rilevanti
I seguenti componenti sono inclusi "PJMD390N65EC_L2_00001" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. PJMD390N65EC_L2_00001.
- Numero parte
- Produttore
- Imballaggio
- Descrizione
I seguenti componenti sono quelli più cercati in: Transistor - FET, MOSFET - Singolo.
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-
STF18N65M2
STMicroelectronics
-
TK65A10N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
-
SIHP17N80AE-GE3
Vishay Siliconix
-
FCPF9N60NT
onsemi
-
SIHP18N50C-E3
Vishay Siliconix
-
STP24N60M6
STMicroelectronics
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