NXP USA Inc. PMF63UN,115

Numero parte
PMF63UN,115
Produttore
NXP USA Inc.
Categoria:
Transistor - FET, MOSFET - Singolo
Imballaggio
SC-70
Scheda tecnica
FudongICPMF63UN,115.pdf
Descrizione
MOSFET N-CH 20V 1.8A SOT323-3
Revisione qualità:
★★★★★ 5.0/5 Revisionato dal team QC di FudongIC

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🔍Per quali applicazioni è adatto PMF63UN,115?

PMF63UN,115 è un prodotto di NXP USA Inc. nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.

Comunicazioni e apparecchiature di rete

Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.

Sistemi automotive e controllo

Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.

Automazione industriale

Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.

Data center e piattaforme cloud

Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.

FudongIC aiuta i clienti ad acquistare PMF63UN,115, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.

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Panoramica prodotto

PMF63UN,115 è un prodotto di NXP USA Inc. nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: MOSFET N-CH 20V 1.8A SOT323-3. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.

Caratteristiche principali

  • Codice: PMF63UN,115
  • Produttore: NXP USA Inc.
  • Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singolo
  • Package: SC-70
  • Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
  • Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume

Aree di applicazione

PMF63UN,115 può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.

Acquisto e supporto tecnico

Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per PMF63UN,115, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.

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Product details

PMF63UN,115 - Domande frequenti

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La quantità minima d’ordine per PMF63UN,115 è 1 pezzo/i. FudongIC supporta campioni, piccoli ordini e acquisti in volume.

PMF63UN,115 è originale e genuino?

FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. PMF63UN,115 di NXP USA Inc. viene acquistato tramite canali affidabili.

Qual è il tempo di consegna tipico per PMF63UN,115?

Il tempo di consegna dipende dalla posizione dello stock, dalla quantità e dalla destinazione. Per stock disponibile, possiamo organizzare spedizione con DHL, FedEx, UPS o altri servizi express.

Esistono parti alternative o equivalenti per PMF63UN,115?

In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per PMF63UN,115. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.

Immagine PMN15UN115 PH6530AL115 PSMN050-80BS,118 PSMN8R5-100ESQ PSMN7R8-120ESQ
Numero parte PMN15UN115 PH6530AL115 PSMN050-80BS,118 PSMN8R5-100ESQ PSMN7R8-120ESQ
Produttore NXP USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc.
Packaging Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk
Series - - - - -
ProductStatus Obsolete Obsolete Obsolete Obsolete Obsolete
FETType N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 1.8A (Ta) 1.8A (Ta) 1.8A (Ta) 1.8A (Ta) 1.8A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs 74mOhm @ 1.8A, 4.5V 74mOhm @ 1.8A, 4.5V 74mOhm @ 1.8A, 4.5V 74mOhm @ 1.8A, 4.5V 74mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 3.3 nC @ 4.5 V 3.3 nC @ 4.5 V 3.3 nC @ 4.5 V 3.3 nC @ 4.5 V 3.3 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±8V ±8V ±8V ±8V ±8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 185 pF @ 10 V 185 pF @ 10 V 185 pF @ 10 V 185 pF @ 10 V 185 pF @ 10 V
FETFeature - - - - -
PowerDissipation(Max) 275mW (Ta), 1.785W (Tc) 275mW (Ta), 1.785W (Tc) 275mW (Ta), 1.785W (Tc) 275mW (Ta), 1.785W (Tc) 275mW (Ta), 1.785W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

PMF63UN,115 Informazioni rilevanti

I seguenti componenti sono inclusi "PMF63UN,115" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. PMF63UN,115.

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