NXP USA Inc. PMPB13XNE,115

Numero parte
PMPB13XNE,115
Produttore
NXP USA Inc.
Categoria:
Transistor - FET, MOSFET - Singolo
Imballaggio
DFN1010B-6
Scheda tecnica
FudongICPMPB13XNE,115.pdf
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 8A DFN2020MD-6
Revisione qualità:
★★★★★ 5.0/5 Revisionato dal team QC di FudongIC

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🔍Per quali applicazioni è adatto PMPB13XNE,115?

PMPB13XNE,115 è un prodotto di NXP USA Inc. nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.

Comunicazioni e apparecchiature di rete

Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.

Sistemi automotive e controllo

Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.

Automazione industriale

Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.

Data center e piattaforme cloud

Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.

FudongIC aiuta i clienti ad acquistare PMPB13XNE,115, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.

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Panoramica prodotto

PMPB13XNE,115 è un prodotto di NXP USA Inc. nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: MOSFET N-CH 30V 8A DFN2020MD-6. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.

Caratteristiche principali

  • Codice: PMPB13XNE,115
  • Produttore: NXP USA Inc.
  • Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singolo
  • Package: DFN1010B-6
  • Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
  • Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume

Aree di applicazione

PMPB13XNE,115 può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.

Acquisto e supporto tecnico

Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per PMPB13XNE,115, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.

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Product details

PMPB13XNE,115 - Domande frequenti

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Qual è la quantità minima d’ordine per PMPB13XNE,115?

La quantità minima d’ordine per PMPB13XNE,115 è 1 pezzo/i. FudongIC supporta campioni, piccoli ordini e acquisti in volume.

PMPB13XNE,115 è originale e genuino?

FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. PMPB13XNE,115 di NXP USA Inc. viene acquistato tramite canali affidabili.

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Il tempo di consegna dipende dalla posizione dello stock, dalla quantità e dalla destinazione. Per stock disponibile, possiamo organizzare spedizione con DHL, FedEx, UPS o altri servizi express.

Esistono parti alternative o equivalenti per PMPB13XNE,115?

In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per PMPB13XNE,115. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.

Immagine PMN15UN115 PH6530AL115 PSMN050-80BS,118 PSMN8R5-100ESQ PSMN7R8-120ESQ
Numero parte PMN15UN115 PH6530AL115 PSMN050-80BS,118 PSMN8R5-100ESQ PSMN7R8-120ESQ
Produttore NXP USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc.
Packaging Bulk Bulk Bulk Bulk Bulk
Series - - - - -
ProductStatus Active Active Active Active Active
FETType N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 8A (Ta) 8A (Ta) 8A (Ta) 8A (Ta) 8A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs 16mOhm @ 8A, 4.5V 16mOhm @ 8A, 4.5V 16mOhm @ 8A, 4.5V 16mOhm @ 8A, 4.5V 16mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 900mV @ 250µA 900mV @ 250µA 900mV @ 250µA 900mV @ 250µA 900mV @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 36 nC @ 4.5 V 36 nC @ 4.5 V 36 nC @ 4.5 V 36 nC @ 4.5 V 36 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±12V ±12V ±12V ±12V ±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 2195 pF @ 15 V 2195 pF @ 15 V 2195 pF @ 15 V 2195 pF @ 15 V 2195 pF @ 15 V
FETFeature - - - - -
PowerDissipation(Max) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

PMPB13XNE,115 Informazioni rilevanti

I seguenti componenti sono inclusi "PMPB13XNE,115" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. PMPB13XNE,115.

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