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Carica BOM
Nexperia USA Inc. PMV100EPAR
- Numero parte
- PMV100EPAR
- Produttore
- Nexperia USA Inc.
- Categoria:
- Transistor - FET, MOSFET - Singolo
- Imballaggio
- TO-236AB
- Scheda tecnica
-
PMV100EPAR.pdf
- Descrizione
- MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB
- Revisione qualità:
-
★★★★★ 5.0/5 Revisionato dal team QC di FudongIC
Le informazioni di prodotto per PMV100EPAR sono state verificate in base a codice, produttore, package, stock, requisiti di approvvigionamento e disponibilità di spedizione.
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Per quali applicazioni è adatto PMV100EPAR?
PMV100EPAR è un prodotto di Nexperia USA Inc. nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.
Comunicazioni e apparecchiature di rete
Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.
Sistemi automotive e controllo
Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.
Automazione industriale
Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.
Data center e piattaforme cloud
Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.
FudongIC aiuta i clienti ad acquistare PMV100EPAR, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.
Richiedi preventivo e supporto tecnico per PMV100EPARPanoramica prodotto
PMV100EPAR è un prodotto di Nexperia USA Inc. nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.
Caratteristiche principali
- Codice: PMV100EPAR
- Produttore: Nexperia USA Inc.
- Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singolo
- Package: TO-236AB
- Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
- Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume
Aree di applicazione
PMV100EPAR può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.
Acquisto e supporto tecnico
Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per PMV100EPAR, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.
Prodotti correlati
Product details
- Packaging:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
- Series:Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
- ProductStatus:Active
- FETType:P-Channel
- Technology:MOSFET (Metal Oxide)
- DraintoSourceVoltage(Vdss):60 V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:2.2A (Ta)
- DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):4.5V, 10V
- RdsOn(Max)@IdVgs:130mOhm @ 2.2A, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:3.2V @ 250µA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:17 nC @ 10 V
- Vgs(Max):±20V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:616 pF @ 30 V
- FETFeature:-
- PowerDissipation(Max):710mW (Ta), 8.3W (Tc)
- OperatingTemperature:-55°C ~ 175°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount
- Categoria:
- Scheda tecnica
PMV100EPAR - Domande frequenti
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FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. PMV100EPAR di Nexperia USA Inc. viene acquistato tramite canali affidabili.
Il tempo di consegna dipende dalla posizione dello stock, dalla quantità e dalla destinazione. Per stock disponibile, possiamo organizzare spedizione con DHL, FedEx, UPS o altri servizi express.
In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per PMV100EPAR. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.
| Immagine |  |
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| Numero parte | NX3008PBK,215 | PMH260UNEH | PMH550UPEH | PMV13XNEAR | PMN48XPA2X |
| Produttore | Nexperia USA Inc. | Nexperia USA Inc. | Nexperia USA Inc. | Nexperia USA Inc. | Nexperia USA Inc. |
| Packaging | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 2.2A (Ta) | 2.2A (Ta) | 2.2A (Ta) | 2.2A (Ta) | 2.2A (Ta) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 130mOhm @ 2.2A, 10V | 130mOhm @ 2.2A, 10V | 130mOhm @ 2.2A, 10V | 130mOhm @ 2.2A, 10V | 130mOhm @ 2.2A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 3.2V @ 250µA | 3.2V @ 250µA | 3.2V @ 250µA | 3.2V @ 250µA | 3.2V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 17 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 616 pF @ 30 V | 616 pF @ 30 V | 616 pF @ 30 V | 616 pF @ 30 V | 616 pF @ 30 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 710mW (Ta), 8.3W (Tc) | 710mW (Ta), 8.3W (Tc) | 710mW (Ta), 8.3W (Tc) | 710mW (Ta), 8.3W (Tc) | 710mW (Ta), 8.3W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays(5629)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – HF(2777)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren(42446)
PMV100EPAR Informazioni rilevanti
I seguenti componenti sono inclusi "PMV100EPAR" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. PMV100EPAR.
- Numero parte
- Produttore
- Imballaggio
- Descrizione
I seguenti componenti sono quelli più cercati in: Transistor - FET, MOSFET - Singolo.
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-
STF18N65M2
STMicroelectronics
-
TK65A10N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
-
SIHP17N80AE-GE3
Vishay Siliconix
-
FCPF9N60NT
onsemi
-
SIHP18N50C-E3
Vishay Siliconix
-
STP24N60M6
STMicroelectronics
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