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PMV16UN,215 è un prodotto di NXP USA Inc. nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.
Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.
Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.
Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.
Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.
FudongIC aiuta i clienti ad acquistare PMV16UN,215, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.
Richiedi preventivo e supporto tecnico per PMV16UN,215PMV16UN,215 è un prodotto di NXP USA Inc. nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: MOSFET N-CH 20V 5.8A TO236AB. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.
PMV16UN,215 può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.
Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per PMV16UN,215, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.
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La quantità minima d’ordine per PMV16UN,215 è 1 pezzo/i. FudongIC supporta campioni, piccoli ordini e acquisti in volume.
FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. PMV16UN,215 di NXP USA Inc. viene acquistato tramite canali affidabili.
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In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per PMV16UN,215. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.
| Immagine | ![]() |
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| Numero parte | PMN15UN115 | PH6530AL115 | PSMN050-80BS,118 | PSMN8R5-100ESQ | PSMN7R8-120ESQ |
| Produttore | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. |
| Packaging | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk |
| Series | - | - | - | - | - |
| ProductStatus | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete |
| FETType | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 5.8A (Ta) | 5.8A (Ta) | 5.8A (Ta) | 5.8A (Ta) | 5.8A (Ta) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 18mOhm @ 5.8A, 4.5V | 18mOhm @ 5.8A, 4.5V | 18mOhm @ 5.8A, 4.5V | 18mOhm @ 5.8A, 4.5V | 18mOhm @ 5.8A, 4.5V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 11 nC @ 4.5 V | 11 nC @ 4.5 V | 11 nC @ 4.5 V | 11 nC @ 4.5 V | 11 nC @ 4.5 V |
| Vgs(Max) | ±8V | ±8V | ±8V | ±8V | ±8V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 670 pF @ 10 V | 670 pF @ 10 V | 670 pF @ 10 V | 670 pF @ 10 V | 670 pF @ 10 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 510mW (Ta) | 510mW (Ta) | 510mW (Ta) | 510mW (Ta) | 510mW (Ta) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
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