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Carica BOM
NXP USA Inc. PMWD30UN,518
- Numero parte
- PMWD30UN,518
- Produttore
- NXP USA Inc.
- Categoria:
- Transistor - FET, MOSFET - Array
- Imballaggio
- 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
- Scheda tecnica
-
PMWD30UN,518.pdf
- Descrizione
- MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP
- Revisione qualità:
-
★★★★★ 5.0/5 Revisionato dal team QC di FudongIC
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Per quali applicazioni è adatto PMWD30UN,518?
PMWD30UN,518 è un prodotto di NXP USA Inc. nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Array. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.
Comunicazioni e apparecchiature di rete
Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.
Sistemi automotive e controllo
Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.
Automazione industriale
Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.
Data center e piattaforme cloud
Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.
FudongIC aiuta i clienti ad acquistare PMWD30UN,518, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.
Richiedi preventivo e supporto tecnico per PMWD30UN,518Panoramica prodotto
PMWD30UN,518 è un prodotto di NXP USA Inc. nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Array. Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.
Caratteristiche principali
- Codice: PMWD30UN,518
- Produttore: NXP USA Inc.
- Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Array
- Package: 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
- Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
- Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume
Aree di applicazione
PMWD30UN,518 può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.
Acquisto e supporto tecnico
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Prodotti correlati
Product details
- Packaging:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
- Series:TrenchMOS™
- ProductStatus:Obsolete
- FETType:2 N-Channel (Dual)
- FETFeature:Logic Level Gate
- DraintoSourceVoltage(Vdss):30V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:5A
- RdsOn(Max)@IdVgs:33mOhm @ 3.5A, 4.5V
- Vgs(th)(Max)@Id:700mV @ 1mA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:28nC @ 5V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:1478pF @ 10V
- Power-Max:2.3W
- OperatingTemperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount
- Categoria:
- Scheda tecnica
PMWD30UN,518 - Domande frequenti
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In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per PMWD30UN,518. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.
| Immagine |  |
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| Numero parte | PHKD13N03LT,518 | PMGD8000LN,115 | PMWD26UN,518 | PMWD20XN,118 | PMGD400UN,115 |
| Produttore | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. |
| Packaging | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | TrenchMOS™ | TrenchMOS™ | TrenchMOS™ | TrenchMOS™ | TrenchMOS™ |
| ProductStatus | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete |
| FETType | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| FETFeature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 30V | 30V | 30V | 30V | 30V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 5A | 5A | 5A | 5A | 5A |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 33mOhm @ 3.5A, 4.5V | 33mOhm @ 3.5A, 4.5V | 33mOhm @ 3.5A, 4.5V | 33mOhm @ 3.5A, 4.5V | 33mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 700mV @ 1mA | 700mV @ 1mA | 700mV @ 1mA | 700mV @ 1mA | 700mV @ 1mA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 28nC @ 5V | 28nC @ 5V | 28nC @ 5V | 28nC @ 5V | 28nC @ 5V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 1478pF @ 10V | 1478pF @ 10V | 1478pF @ 10V | 1478pF @ 10V | 1478pF @ 10V |
| Power-Max | 2.3W | 2.3W | 2.3W | 2.3W | 2.3W |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays(5629)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – HF(2777)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren(42446)
PMWD30UN,518 Informazioni rilevanti
I seguenti componenti sono inclusi "PMWD30UN,518" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. PMWD30UN,518.
- Numero parte
- Produttore
- Imballaggio
- Descrizione
-
2N7002DW-TP
Micro Commercial Co
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
-
DMC2700UDM-7
Diodes Incorporated
SOT-23-6
MOSFET N/P-CH 20V SOT26
-
BSC0924NDIATMA1
Infineon Technologies
8-PowerTDFN
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
-
IRF7324TRPBF
Infineon Technologies
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC
I seguenti componenti sono quelli più cercati in: Transistor - FET, MOSFET - Array.
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-
EPC2106
EPC
-
EPC2110
EPC
-
EPC2104
EPC
-
BSM300D12P2E001
Rohm Semiconductor
-
2N7002DW-TP
Micro Commercial Co
-
SSM6N37FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
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- 20,000.000 Unità prodotto standard
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