Rohm Semiconductor R6530ENXC7G

Numero parte
R6530ENXC7G
Produttore
Rohm Semiconductor
Categoria:
Transistor - FET, MOSFET - Singolo
Imballaggio
TO-220FM
Scheda tecnica
FudongICR6530ENXC7G.pdf
Descrizione
650V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Revisione qualità:
★★★★★ 5.0/5 Revisionato dal team QC di FudongIC

Le informazioni di prodotto per R6530ENXC7G sono state verificate in base a codice, produttore, package, stock, requisiti di approvvigionamento e disponibilità di spedizione.

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Applicazioni

🔍Per quali applicazioni è adatto R6530ENXC7G?

R6530ENXC7G è un prodotto di Rohm Semiconductor nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.

Comunicazioni e apparecchiature di rete

Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.

Sistemi automotive e controllo

Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.

Automazione industriale

Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.

Data center e piattaforme cloud

Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.

FudongIC aiuta i clienti ad acquistare R6530ENXC7G, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.

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Panoramica prodotto

R6530ENXC7G è un prodotto di Rohm Semiconductor nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: 650V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.

Caratteristiche principali

  • Codice: R6530ENXC7G
  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singolo
  • Package: TO-220FM
  • Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
  • Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume

Aree di applicazione

R6530ENXC7G può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.

Acquisto e supporto tecnico

Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per R6530ENXC7G, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.

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Product details

R6530ENXC7G - Domande frequenti

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Qual è la quantità minima d’ordine per R6530ENXC7G?

La quantità minima d’ordine per R6530ENXC7G è 1 pezzo/i. FudongIC supporta campioni, piccoli ordini e acquisti in volume.

R6530ENXC7G è originale e genuino?

FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. R6530ENXC7G di Rohm Semiconductor viene acquistato tramite canali affidabili.

Qual è il tempo di consegna tipico per R6530ENXC7G?

Il tempo di consegna dipende dalla posizione dello stock, dalla quantità e dalla destinazione. Per stock disponibile, possiamo organizzare spedizione con DHL, FedEx, UPS o altri servizi express.

Esistono parti alternative o equivalenti per R6530ENXC7G?

In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per R6530ENXC7G. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.

Immagine R8002ANJGTL R8002KNXC7G RCJ331N25TL RCJ451N20TL RX3G07CGNC16
Numero parte R8002ANJGTL R8002KNXC7G RCJ331N25TL RCJ451N20TL RX3G07CGNC16
Produttore Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Packaging Tube Tube Tube Tube Tube
Series - - - - -
ProductStatus Active Active Active Active Active
FETType N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 650 V 650 V 650 V 650 V 650 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 30A (Ta) 30A (Ta) 30A (Ta) 30A (Ta) 30A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V 10V 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 140mOhm @ 14.5A, 10V 140mOhm @ 14.5A, 10V 140mOhm @ 14.5A, 10V 140mOhm @ 14.5A, 10V 140mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 960µA 4V @ 960µA 4V @ 960µA 4V @ 960µA 4V @ 960µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 90 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V ±20V ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 2100 pF @ 25 V 2100 pF @ 25 V 2100 pF @ 25 V 2100 pF @ 25 V 2100 pF @ 25 V
FETFeature - - - - -
PowerDissipation(Max) 86W (Tc) 86W (Tc) 86W (Tc) 86W (Tc) 86W (Tc)
OperatingTemperature 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

R6530ENXC7G Informazioni rilevanti

I seguenti componenti sono inclusi "R6530ENXC7G" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. R6530ENXC7G.

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