Rectron USA RM2P60S2

Numero parte
RM2P60S2
Produttore
Rectron USA
Categoria:
Transistor - FET, MOSFET - Singolo
Imballaggio
SOT-23
Scheda tecnica
FudongICRM2P60S2.pdf
Descrizione
MOSFET P-CHANNEL 60V 1.9A SOT23
Revisione qualità:
★★★★★ 5.0/5 Revisionato dal team QC di FudongIC

Le informazioni di prodotto per RM2P60S2 sono state verificate in base a codice, produttore, package, stock, requisiti di approvvigionamento e disponibilità di spedizione.

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Applicazioni

🔍Per quali applicazioni è adatto RM2P60S2?

RM2P60S2 è un prodotto di Rectron USA nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.

Comunicazioni e apparecchiature di rete

Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.

Sistemi automotive e controllo

Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.

Automazione industriale

Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.

Data center e piattaforme cloud

Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.

FudongIC aiuta i clienti ad acquistare RM2P60S2, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.

Richiedi preventivo e supporto tecnico per RM2P60S2

Panoramica prodotto

RM2P60S2 è un prodotto di Rectron USA nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: MOSFET P-CHANNEL 60V 1.9A SOT23. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.

Caratteristiche principali

  • Codice: RM2P60S2
  • Produttore: Rectron USA
  • Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singolo
  • Package: SOT-23
  • Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
  • Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume

Aree di applicazione

RM2P60S2 può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.

Acquisto e supporto tecnico

Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per RM2P60S2, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.

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Product details

RM2P60S2 - Domande frequenti

RM2P60S2 è attualmente disponibile a stock?

RM2P60S2 è indicato su FudongIC con informazioni aggiornate sullo stock. La disponibilità visualizzata è 3012. Poiché lo stock cambia frequentemente, invia una RFQ per confermare disponibilità, prezzo e consegna in tempo reale.

Qual è la quantità minima d’ordine per RM2P60S2?

La quantità minima d’ordine per RM2P60S2 è 1 pezzo/i. FudongIC supporta campioni, piccoli ordini e acquisti in volume.

RM2P60S2 è originale e genuino?

FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. RM2P60S2 di Rectron USA viene acquistato tramite canali affidabili.

Qual è il tempo di consegna tipico per RM2P60S2?

Il tempo di consegna dipende dalla posizione dello stock, dalla quantità e dalla destinazione. Per stock disponibile, possiamo organizzare spedizione con DHL, FedEx, UPS o altri servizi express.

Esistono parti alternative o equivalenti per RM2P60S2?

In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per RM2P60S2. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.

Immagine RMA7N20ED1 RMA7P20ED1 2N7002KD1 RM138 2N7002K
Numero parte RMA7N20ED1 RMA7P20ED1 2N7002KD1 RM138 2N7002K
Produttore Rectron USA Rectron USA Rectron USA Rectron USA Rectron USA
Packaging Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Series - - - - -
ProductStatus Active Active Active Active Active
FETType P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 1.9A (Ta) 1.9A (Ta) 1.9A (Ta) 1.9A (Ta) 1.9A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 215mOhm @ 1.8A, 10V 215mOhm @ 1.8A, 10V 215mOhm @ 1.8A, 10V 215mOhm @ 1.8A, 10V 215mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs - - - - -
Vgs(Max) ±20V ±20V ±20V ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 358 pF @ 30 V 358 pF @ 30 V 358 pF @ 30 V 358 pF @ 30 V 358 pF @ 30 V
FETFeature - - - - -
PowerDissipation(Max) 1.4W (Ta) 1.4W (Ta) 1.4W (Ta) 1.4W (Ta) 1.4W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

RM2P60S2 Informazioni rilevanti

I seguenti componenti sono inclusi "RM2P60S2" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. RM2P60S2.

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