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Rohm Semiconductor RQ3E080BNTB

Name: RQ3E080BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E080BNTB
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

Confronta

Numero parte: RQ3E080BNTB

Produttore: Rohm Semiconductor

Categoria:: Transistor - FET, MOSFET - Singolo

Imballaggio: 8-HSMT (3.2x3)

Scheda tecnica: RQ3E080BNTB.pdf

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT

Revisione qualità:: ★★★★★ 5.0/5 Revisionato dal team QC di FudongIC

Le informazioni di prodotto per RQ3E080BNTB sono state verificate in base a codice, produttore, package, stock, requisiti di approvvigionamento e disponibilità di spedizione.

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Applicazioni

🔍Per quali applicazioni è adatto RQ3E080BNTB?

RQ3E080BNTB è un prodotto di Rohm Semiconductor nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.

Comunicazioni e apparecchiature di rete

Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.

Sistemi automotive e controllo

Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.

Automazione industriale

Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.

Data center e piattaforme cloud

Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.

FudongIC aiuta i clienti ad acquistare RQ3E080BNTB, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.

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Panoramica prodotto

RQ3E080BNTB è un prodotto di Rohm Semiconductor nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.

Caratteristiche principali

Codice: RQ3E080BNTB
Produttore: Rohm Semiconductor
Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singolo
Package: 8-HSMT (3.2x3)
Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume

Aree di applicazione

RQ3E080BNTB può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.

Acquisto e supporto tecnico

Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per RQ3E080BNTB, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.

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Product details

Packaging:
Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series:
-
ProductStatus:
Active
FETType:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
8A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs:
15.2mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id:
2.5V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
14.5 nC @ 10 V
Vgs(Max):
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
660 pF @ 15 V
FETFeature:
-
PowerDissipation(Max):
2W (Ta)
OperatingTemperature:
150°C (TJ)
MountingType:
Surface Mount
Categoria:
Transistor - FET, MOSFET - Singolo
Scheda tecnica
RQ3E080BNTB.pdf

RQ3E080BNTB - Domande frequenti

RQ3E080BNTB è attualmente disponibile a stock?▼

RQ3E080BNTB è indicato su FudongIC con informazioni aggiornate sullo stock. La disponibilità visualizzata è 2850. Poiché lo stock cambia frequentemente, invia una RFQ per confermare disponibilità, prezzo e consegna in tempo reale.

Qual è la quantità minima d’ordine per RQ3E080BNTB?▼

La quantità minima d’ordine per RQ3E080BNTB è 1 pezzo/i. FudongIC supporta campioni, piccoli ordini e acquisti in volume.

RQ3E080BNTB è originale e genuino?▼

FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. RQ3E080BNTB di Rohm Semiconductor viene acquistato tramite canali affidabili.

Qual è il tempo di consegna tipico per RQ3E080BNTB?▼

Il tempo di consegna dipende dalla posizione dello stock, dalla quantità e dalla destinazione. Per stock disponibile, possiamo organizzare spedizione con DHL, FedEx, UPS o altri servizi express.

Esistono parti alternative o equivalenti per RQ3E080BNTB?▼

In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per RQ3E080BNTB. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.

Immagine
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Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	30 V	30 V	30 V	30 V	30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	8A (Ta)	8A (Ta)	8A (Ta)	8A (Ta)	8A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)	4.5V, 10V	4.5V, 10V	4.5V, 10V	4.5V, 10V	4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs	15.2mOhm @ 8A, 10V	15.2mOhm @ 8A, 10V	15.2mOhm @ 8A, 10V	15.2mOhm @ 8A, 10V	15.2mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id	2.5V @ 1mA	2.5V @ 1mA	2.5V @ 1mA	2.5V @ 1mA	2.5V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	14.5 nC @ 10 V	14.5 nC @ 10 V	14.5 nC @ 10 V	14.5 nC @ 10 V	14.5 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V	±20V	±20V	±20V
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MountingType	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount