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Carica BOM
Vishay Siliconix SIE882DF-T1-GE3
- Numero parte
- SIE882DF-T1-GE3
- Produttore
- Vishay Siliconix
- Categoria:
- Transistor - FET, MOSFET - Singolo
- Imballaggio
- 10-PolarPAK® (L)
- Scheda tecnica
-
SIE882DF-T1-GE3.pdf
- Descrizione
- MOSFET N-CH 25V 60A 10POLARPAK
- Revisione qualità:
-
★★★★★ 5.0/5 Revisionato dal team QC di FudongIC
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Per quali applicazioni è adatto SIE882DF-T1-GE3?
SIE882DF-T1-GE3 è un prodotto di Vishay Siliconix nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.
Comunicazioni e apparecchiature di rete
Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.
Sistemi automotive e controllo
Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.
Automazione industriale
Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.
Data center e piattaforme cloud
Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.
FudongIC aiuta i clienti ad acquistare SIE882DF-T1-GE3, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.
Richiedi preventivo e supporto tecnico per SIE882DF-T1-GE3Panoramica prodotto
SIE882DF-T1-GE3 è un prodotto di Vishay Siliconix nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: MOSFET N-CH 25V 60A 10POLARPAK. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.
Caratteristiche principali
- Codice: SIE882DF-T1-GE3
- Produttore: Vishay Siliconix
- Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singolo
- Package: 10-PolarPAK® (L)
- Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
- Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume
Aree di applicazione
SIE882DF-T1-GE3 può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.
Acquisto e supporto tecnico
Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per SIE882DF-T1-GE3, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.
Prodotti correlati
Product details
- Packaging:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
- Series:TrenchFET®
- ProductStatus:Active
- FETType:N-Channel
- Technology:MOSFET (Metal Oxide)
- DraintoSourceVoltage(Vdss):25 V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:60A (Tc)
- DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):4.5V, 10V
- RdsOn(Max)@IdVgs:1.4mOhm @ 20A, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:2.2V @ 250µA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:145 nC @ 10 V
- Vgs(Max):±20V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:6400 pF @ 12.5 V
- FETFeature:-
- PowerDissipation(Max):5.2W (Ta), 125W (Tc)
- OperatingTemperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount
- Categoria:
- Scheda tecnica
SIE882DF-T1-GE3 - Domande frequenti
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FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. SIE882DF-T1-GE3 di Vishay Siliconix viene acquistato tramite canali affidabili.
Il tempo di consegna dipende dalla posizione dello stock, dalla quantità e dalla destinazione. Per stock disponibile, possiamo organizzare spedizione con DHL, FedEx, UPS o altri servizi express.
In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per SIE882DF-T1-GE3. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.
| Immagine |  |
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| Numero parte | SI8447DB-T2-E1 | SI8465DB-T2-E1 | SI8824EDB-T2-E1 | SI2303CDS-T1-BE3 | SI1032X-T1-GE3 |
| Produttore | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| Packaging | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 25 V | 25 V | 25 V | 25 V | 25 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 60A (Tc) | 60A (Tc) | 60A (Tc) | 60A (Tc) | 60A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 1.4mOhm @ 20A, 10V | 1.4mOhm @ 20A, 10V | 1.4mOhm @ 20A, 10V | 1.4mOhm @ 20A, 10V | 1.4mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 145 nC @ 10 V | 145 nC @ 10 V | 145 nC @ 10 V | 145 nC @ 10 V | 145 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 6400 pF @ 12.5 V | 6400 pF @ 12.5 V | 6400 pF @ 12.5 V | 6400 pF @ 12.5 V | 6400 pF @ 12.5 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays(5629)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – HF(2777)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren(42446)
SIE882DF-T1-GE3 Informazioni rilevanti
I seguenti componenti sono inclusi "SIE882DF-T1-GE3" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. SIE882DF-T1-GE3.
- Numero parte
- Produttore
- Imballaggio
- Descrizione
I seguenti componenti sono quelli più cercati in: Transistor - FET, MOSFET - Singolo.
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-
STF18N65M2
STMicroelectronics
-
TK65A10N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
-
SIHP17N80AE-GE3
Vishay Siliconix
-
FCPF9N60NT
onsemi
-
SIHP18N50C-E3
Vishay Siliconix
-
STP24N60M6
STMicroelectronics
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