TRS20N65FB,S1F(S.pdfLe informazioni di prodotto per TRS20N65FB,S1F(S sono state verificate in base a codice, produttore, package, stock, requisiti di approvvigionamento e disponibilità di spedizione.
Prezzo unitario$0
Prezzo totale$0


TRS20N65FB,S1F(S è un prodotto di Toshiba Semiconductor and Storage nella categoria Diodi - Raddrizzatori - Array. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.
Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.
Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.
Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.
Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.
FudongIC aiuta i clienti ad acquistare TRS20N65FB,S1F(S, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.
Richiedi preventivo e supporto tecnico per TRS20N65FB,S1F(STRS20N65FB,S1F(S è un prodotto di Toshiba Semiconductor and Storage nella categoria Diodi - Raddrizzatori - Array. Descrizione: DODE SCHOTTKY 650V TO247. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.
TRS20N65FB,S1F(S può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.
Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per TRS20N65FB,S1F(S, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.
TRS20N65FB,S1F(S è indicato su FudongIC con informazioni aggiornate sullo stock. La disponibilità visualizzata è 3948. Poiché lo stock cambia frequentemente, invia una RFQ per confermare disponibilità, prezzo e consegna in tempo reale.
La quantità minima d’ordine per TRS20N65FB,S1F(S è 1 pezzo/i. FudongIC supporta campioni, piccoli ordini e acquisti in volume.
FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. TRS20N65FB,S1F(S di Toshiba Semiconductor and Storage viene acquistato tramite canali affidabili.
Il tempo di consegna dipende dalla posizione dello stock, dalla quantità e dalla destinazione. Per stock disponibile, possiamo organizzare spedizione con DHL, FedEx, UPS o altri servizi express.
In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per TRS20N65FB,S1F(S. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.
| Immagine | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
| Numero parte | 30JL2C41(F) | U20DL2C48A(TE24L,Q | 1SS301SU,LF | 1SS360(T5L,F,T) | HN1D04FUTE85LF |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Packaging | Tube | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Series | - | - | - | - | - |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| DiodeConfiguration | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| DiodeType | Silicon Carbide Schottky | Silicon Carbide Schottky | Silicon Carbide Schottky | Silicon Carbide Schottky | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 650 V | 650 V | 650 V | 650 V | 650 V |
| Current-AverageRectified(Io)(perDiode) | 10A (DC) | 10A (DC) | 10A (DC) | 10A (DC) | 10A (DC) |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.7 V @ 10 A | 1.7 V @ 10 A | 1.7 V @ 10 A | 1.7 V @ 10 A | 1.7 V @ 10 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 0 ns | 0 ns | 0 ns | 0 ns | 0 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 90 µA @ 650 V | 90 µA @ 650 V | 90 µA @ 650 V | 90 µA @ 650 V | 90 µA @ 650 V |
| OperatingTemperature-Junction | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) |
| MountingType | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
-
NEXPERIA BAV99 - DUAL HIGH-SPEED
Si prega di inviare una RFQ. Risponderemo immediatamente.

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division