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Carica BOM
Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N1R2CH C5G
- Numero parte
- TSM80N1R2CH C5G
- Produttore
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Categoria:
- Transistor - FET, MOSFET - Singolo
- Imballaggio
- TO-251 (IPAK)
- Scheda tecnica
-
TSM80N1R2CH C5G.pdf
- Descrizione
- MOSFET N-CH 800V 5.5A TO251
- Revisione qualità:
-
★★★★★ 5.0/5 Revisionato dal team QC di FudongIC
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Per quali applicazioni è adatto TSM80N1R2CH C5G?
TSM80N1R2CH C5G è un prodotto di Taiwan Semiconductor Corporation nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.
Comunicazioni e apparecchiature di rete
Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.
Sistemi automotive e controllo
Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.
Automazione industriale
Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.
Data center e piattaforme cloud
Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.
FudongIC aiuta i clienti ad acquistare TSM80N1R2CH C5G, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.
Richiedi preventivo e supporto tecnico per TSM80N1R2CH C5GPanoramica prodotto
TSM80N1R2CH C5G è un prodotto di Taiwan Semiconductor Corporation nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO251. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.
Caratteristiche principali
- Codice: TSM80N1R2CH C5G
- Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
- Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singolo
- Package: TO-251 (IPAK)
- Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
- Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume
Aree di applicazione
TSM80N1R2CH C5G può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.
Acquisto e supporto tecnico
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Prodotti correlati
Product details
- Packaging:Tube
- Series:-
- ProductStatus:Active
- FETType:N-Channel
- Technology:MOSFET (Metal Oxide)
- DraintoSourceVoltage(Vdss):800 V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:5.5A (Tc)
- DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):10V
- RdsOn(Max)@IdVgs:1.2Ohm @ 2.75A, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:4V @ 250µA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:19.4 nC @ 10 V
- Vgs(Max):±30V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:685 pF @ 100 V
- FETFeature:-
- PowerDissipation(Max):110W (Tc)
- OperatingTemperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
- MountingType:Through Hole
- Categoria:
- Scheda tecnica
TSM80N1R2CH C5G - Domande frequenti
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Il tempo di consegna dipende dalla posizione dello stock, dalla quantità e dalla destinazione. Per stock disponibile, possiamo organizzare spedizione con DHL, FedEx, UPS o altri servizi express.
In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per TSM80N1R2CH C5G. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.
| Immagine |  |
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.JPG) |
 |
|
| Numero parte | TSM80N950CI C0G | BSS84 | TSM070NA04LCR RLG | TSM1N80CW RPG | TSM2N60SCW RPG |
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Packaging | Tube | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Series | - | - | - | - | - |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 800 V | 800 V | 800 V | 800 V | 800 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 5.5A (Tc) | 5.5A (Tc) | 5.5A (Tc) | 5.5A (Tc) | 5.5A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V | 10V | 10V | 10V | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 1.2Ohm @ 2.75A, 10V | 1.2Ohm @ 2.75A, 10V | 1.2Ohm @ 2.75A, 10V | 1.2Ohm @ 2.75A, 10V | 1.2Ohm @ 2.75A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 19.4 nC @ 10 V | 19.4 nC @ 10 V | 19.4 nC @ 10 V | 19.4 nC @ 10 V | 19.4 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 685 pF @ 100 V | 685 pF @ 100 V | 685 pF @ 100 V | 685 pF @ 100 V | 685 pF @ 100 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 110W (Tc) | 110W (Tc) | 110W (Tc) | 110W (Tc) | 110W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays(5629)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – HF(2777)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren(42446)
TSM80N1R2CH C5G Informazioni rilevanti
I seguenti componenti sono inclusi "TSM80N1R2CH C5G" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. TSM80N1R2CH C5G.
- Numero parte
- Produttore
- Imballaggio
- Descrizione
I seguenti componenti sono quelli più cercati in: Transistor - FET, MOSFET - Singolo.
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-
STF18N65M2
STMicroelectronics
-
TK65A10N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
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SIHP17N80AE-GE3
Vishay Siliconix
-
FCPF9N60NT
onsemi
-
SIHP18N50C-E3
Vishay Siliconix
-
STP24N60M6
STMicroelectronics
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