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Carica BOM
Toshiba Semiconductor and Storage TW015N65C,S1F
- Numero parte
- TW015N65C,S1F
- Produttore
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Categoria:
- Transistor - FET, MOSFET - Singolo
- Imballaggio
- TO-247
- Scheda tecnica
-
TW015N65C,S1F.pdf
- Descrizione
- G3 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOH
- Revisione qualità:
-
★★★★★ 5.0/5 Revisionato dal team QC di FudongIC
Le informazioni di prodotto per TW015N65C,S1F sono state verificate in base a codice, produttore, package, stock, requisiti di approvvigionamento e disponibilità di spedizione.
- Quantità
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Per quali applicazioni è adatto TW015N65C,S1F?
TW015N65C,S1F è un prodotto di Toshiba Semiconductor and Storage nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.
Comunicazioni e apparecchiature di rete
Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.
Sistemi automotive e controllo
Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.
Automazione industriale
Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.
Data center e piattaforme cloud
Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.
FudongIC aiuta i clienti ad acquistare TW015N65C,S1F, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.
Richiedi preventivo e supporto tecnico per TW015N65C,S1FPanoramica prodotto
TW015N65C,S1F è un prodotto di Toshiba Semiconductor and Storage nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOH. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.
Caratteristiche principali
- Codice: TW015N65C,S1F
- Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
- Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singolo
- Package: TO-247
- Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
- Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume
Aree di applicazione
TW015N65C,S1F può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.
Acquisto e supporto tecnico
Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per TW015N65C,S1F, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.
Prodotti correlati
Product details
- Packaging:Tube
- Series:-
- ProductStatus:Active
- FETType:N-Channel
- Technology:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- DraintoSourceVoltage(Vdss):650 V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:100A (Tc)
- DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):18V
- RdsOn(Max)@IdVgs:21mOhm @ 50A, 18V
- Vgs(th)(Max)@Id:5V @ 11.7mA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:128 nC @ 18 V
- Vgs(Max):+25V, -10V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:4850 pF @ 400 V
- FETFeature:-
- PowerDissipation(Max):342W (Tc)
- OperatingTemperature:175°C
- MountingType:Through Hole
- Categoria:
- Scheda tecnica
TW015N65C,S1F - Domande frequenti
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Il tempo di consegna dipende dalla posizione dello stock, dalla quantità e dalla destinazione. Per stock disponibile, possiamo organizzare spedizione con DHL, FedEx, UPS o altri servizi express.
In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per TW015N65C,S1F. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.
| Immagine |  |
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| Numero parte | TK31Z60X,S1F | TK62Z60X,S1F | TK190E65Z,S1X | TW048N65C,S1F | SSM3J15FS,LF |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Packaging | Tube | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Series | - | - | - | - | - |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 650 V | 650 V | 650 V | 650 V | 650 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 100A (Tc) | 100A (Tc) | 100A (Tc) | 100A (Tc) | 100A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 18V | 18V | 18V | 18V | 18V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 21mOhm @ 50A, 18V | 21mOhm @ 50A, 18V | 21mOhm @ 50A, 18V | 21mOhm @ 50A, 18V | 21mOhm @ 50A, 18V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 5V @ 11.7mA | 5V @ 11.7mA | 5V @ 11.7mA | 5V @ 11.7mA | 5V @ 11.7mA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 128 nC @ 18 V | 128 nC @ 18 V | 128 nC @ 18 V | 128 nC @ 18 V | 128 nC @ 18 V |
| Vgs(Max) | +25V, -10V | +25V, -10V | +25V, -10V | +25V, -10V | +25V, -10V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 4850 pF @ 400 V | 4850 pF @ 400 V | 4850 pF @ 400 V | 4850 pF @ 400 V | 4850 pF @ 400 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 342W (Tc) | 342W (Tc) | 342W (Tc) | 342W (Tc) | 342W (Tc) |
| OperatingTemperature | 175°C | 175°C | 175°C | 175°C | 175°C |
| MountingType | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays(5629)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – HF(2777)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren(42446)
TW015N65C,S1F Informazioni rilevanti
I seguenti componenti sono inclusi "TW015N65C,S1F" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. TW015N65C,S1F.
- Numero parte
- Produttore
- Imballaggio
- Descrizione
I seguenti componenti sono quelli più cercati in: Transistor - FET, MOSFET - Singolo.
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-
STF18N65M2
STMicroelectronics
-
TK65A10N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
-
SIHP17N80AE-GE3
Vishay Siliconix
-
FCPF9N60NT
onsemi
-
SIHP18N50C-E3
Vishay Siliconix
-
STP24N60M6
STMicroelectronics
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