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G30N02T è un prodotto di Goford Semiconductor nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.
Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.
Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.
Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.
Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.
FudongIC aiuta i clienti ad acquistare G30N02T, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.
Richiedi preventivo e supporto tecnico per G30N02TG30N02T è un prodotto di Goford Semiconductor nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: N20V,RD(MAX)<[email protected],VTH0.5V~1.. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.
G30N02T può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.
Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per G30N02T, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.
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La quantità minima d’ordine per G30N02T è 1 pezzo/i. FudongIC supporta campioni, piccoli ordini e acquisti in volume.
FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. G30N02T di Goford Semiconductor viene acquistato tramite canali affidabili.
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In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per G30N02T. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.
| Immagine | ![]() |
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| Numero parte | 03N06 | 5P40 | G30N02T | GT100N12M | GC11N65M |
| Produttore | Goford Semiconductor | Goford Semiconductor | Goford Semiconductor | Goford Semiconductor | Goford Semiconductor |
| Packaging | Tube | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Series | - | - | - | - | - |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 30A (Ta) | 30A (Ta) | 30A (Ta) | 30A (Ta) | 30A (Ta) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 4.5V | 4.5V | 4.5V | 4.5V | 4.5V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 13mOhm @ 20A, 4.5V | 13mOhm @ 20A, 4.5V | 13mOhm @ 20A, 4.5V | 13mOhm @ 20A, 4.5V | 13mOhm @ 20A, 4.5V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 1.2V @ 250µA | 1.2V @ 250µA | 1.2V @ 250µA | 1.2V @ 250µA | 1.2V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 15 nC @ 10 V | 15 nC @ 10 V | 15 nC @ 10 V | 15 nC @ 10 V | 15 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±12V | ±12V | ±12V | ±12V | ±12V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 900 pF @ 10 V | 900 pF @ 10 V | 900 pF @ 10 V | 900 pF @ 10 V | 900 pF @ 10 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 40W (Ta) | 40W (Ta) | 40W (Ta) | 40W (Ta) | 40W (Ta) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
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