Goford Semiconductor G30N02T

Numero parte
G30N02T
Produttore
Goford Semiconductor
Categoria:
Transistor - FET, MOSFET - Singolo
Imballaggio
TO-220
Scheda tecnica
FudongICG30N02T.pdf
Descrizione
N20V,RD(MAX)<[email protected],VTH0.5V~1.
Revisione qualità:
★★★★★ 5.0/5 Revisionato dal team QC di FudongIC

Le informazioni di prodotto per G30N02T sono state verificate in base a codice, produttore, package, stock, requisiti di approvvigionamento e disponibilità di spedizione.

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Applicazioni

🔍Per quali applicazioni è adatto G30N02T?

G30N02T è un prodotto di Goford Semiconductor nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.

Comunicazioni e apparecchiature di rete

Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.

Sistemi automotive e controllo

Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.

Automazione industriale

Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.

Data center e piattaforme cloud

Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.

FudongIC aiuta i clienti ad acquistare G30N02T, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.

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Panoramica prodotto

G30N02T è un prodotto di Goford Semiconductor nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: N20V,RD(MAX)<[email protected],VTH0.5V~1.. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.

Caratteristiche principali

  • Codice: G30N02T
  • Produttore: Goford Semiconductor
  • Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singolo
  • Package: TO-220
  • Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
  • Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume

Aree di applicazione

G30N02T può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.

Acquisto e supporto tecnico

Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per G30N02T, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.

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Product details

G30N02T - Domande frequenti

G30N02T è attualmente disponibile a stock?

G30N02T è indicato su FudongIC con informazioni aggiornate sullo stock. La disponibilità visualizzata è 2159. Poiché lo stock cambia frequentemente, invia una RFQ per confermare disponibilità, prezzo e consegna in tempo reale.

Qual è la quantità minima d’ordine per G30N02T?

La quantità minima d’ordine per G30N02T è 1 pezzo/i. FudongIC supporta campioni, piccoli ordini e acquisti in volume.

G30N02T è originale e genuino?

FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. G30N02T di Goford Semiconductor viene acquistato tramite canali affidabili.

Qual è il tempo di consegna tipico per G30N02T?

Il tempo di consegna dipende dalla posizione dello stock, dalla quantità e dalla destinazione. Per stock disponibile, possiamo organizzare spedizione con DHL, FedEx, UPS o altri servizi express.

Esistono parti alternative o equivalenti per G30N02T?

In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per G30N02T. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.

Immagine 03N06 5P40 G30N02T GT100N12M GC11N65M
Numero parte 03N06 5P40 G30N02T GT100N12M GC11N65M
Produttore Goford Semiconductor Goford Semiconductor Goford Semiconductor Goford Semiconductor Goford Semiconductor
Packaging Tube Tube Tube Tube Tube
Series - - - - -
ProductStatus Active Active Active Active Active
FETType N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 30A (Ta) 30A (Ta) 30A (Ta) 30A (Ta) 30A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V 4.5V 4.5V 4.5V 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs 13mOhm @ 20A, 4.5V 13mOhm @ 20A, 4.5V 13mOhm @ 20A, 4.5V 13mOhm @ 20A, 4.5V 13mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 15 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±12V ±12V ±12V ±12V ±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 900 pF @ 10 V 900 pF @ 10 V 900 pF @ 10 V 900 pF @ 10 V 900 pF @ 10 V
FETFeature - - - - -
PowerDissipation(Max) 40W (Ta) 40W (Ta) 40W (Ta) 40W (Ta) 40W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

G30N02T Informazioni rilevanti

I seguenti componenti sono inclusi "G30N02T" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. G30N02T.

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