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SemiQ GCMX080B120S1-E1

Name: GCMX080B120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: GCMX080B120S1-E1
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

Confronta

Numero parte: GCMX080B120S1-E1

Produttore: SemiQ

Categoria:: Transistor - FET, MOSFET - Singolo

Imballaggio: SOT-227

Scheda tecnica: GCMX080B120S1-E1.pdf

Descrizione: SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227

Revisione qualità:: ★★★★★ 5.0/5 Revisionato dal team QC di FudongIC

Le informazioni di prodotto per GCMX080B120S1-E1 sono state verificate in base a codice, produttore, package, stock, requisiti di approvvigionamento e disponibilità di spedizione.

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Applicazioni

🔍Per quali applicazioni è adatto GCMX080B120S1-E1?

GCMX080B120S1-E1 è un prodotto di SemiQ nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.

Comunicazioni e apparecchiature di rete

Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.

Sistemi automotive e controllo

Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.

Automazione industriale

Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.

Data center e piattaforme cloud

Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.

FudongIC aiuta i clienti ad acquistare GCMX080B120S1-E1, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.

Richiedi preventivo e supporto tecnico per GCMX080B120S1-E1

Panoramica prodotto

GCMX080B120S1-E1 è un prodotto di SemiQ nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.

Caratteristiche principali

Codice: GCMX080B120S1-E1
Produttore: SemiQ
Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singolo
Package: SOT-227
Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume

Aree di applicazione

GCMX080B120S1-E1 può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.

Acquisto e supporto tecnico

Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per GCMX080B120S1-E1, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.

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Product details

Packaging:
Tube
Series:
-
ProductStatus:
Active
FETType:
N-Channel
Technology:
SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
30A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):
20V
RdsOn(Max)@IdVgs:
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id:
4V @ 10mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
58 nC @ 20 V
Vgs(Max):
+25V, -10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
1336 pF @ 1000 V
FETFeature:
-
PowerDissipation(Max):
142W (Tc)
OperatingTemperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType:
Chassis Mount
Categoria:
Transistor - FET, MOSFET - Singolo
Scheda tecnica
GCMX080B120S1-E1.pdf

GCMX080B120S1-E1 - Domande frequenti

GCMX080B120S1-E1 è attualmente disponibile a stock?▼

GCMX080B120S1-E1 è indicato su FudongIC con informazioni aggiornate sullo stock. La disponibilità visualizzata è 3515. Poiché lo stock cambia frequentemente, invia una RFQ per confermare disponibilità, prezzo e consegna in tempo reale.

Qual è la quantità minima d’ordine per GCMX080B120S1-E1?▼

La quantità minima d’ordine per GCMX080B120S1-E1 è 1 pezzo/i. FudongIC supporta campioni, piccoli ordini e acquisti in volume.

GCMX080B120S1-E1 è originale e genuino?▼

FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. GCMX080B120S1-E1 di SemiQ viene acquistato tramite canali affidabili.

Qual è il tempo di consegna tipico per GCMX080B120S1-E1?▼

Il tempo di consegna dipende dalla posizione dello stock, dalla quantità e dalla destinazione. Per stock disponibile, possiamo organizzare spedizione con DHL, FedEx, UPS o altri servizi express.

Esistono parti alternative o equivalenti per GCMX080B120S1-E1?▼

In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per GCMX080B120S1-E1. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.

Immagine
Numero parte	GP2T080A120H	GCMX080B120S1-E1	GCMS080B120S1-E1	GP2T040A120U	GP2T040A120H
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Technology	SiCFET (Silicon Carbide)	SiCFET (Silicon Carbide)	SiCFET (Silicon Carbide)	SiCFET (Silicon Carbide)	SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	1200 V	1200 V	1200 V	1200 V	1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	30A (Tc)	30A (Tc)	30A (Tc)	30A (Tc)	30A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)	20V	20V	20V	20V	20V
RdsOn(Max)@IdVgs	100mOhm @ 20A, 20V	100mOhm @ 20A, 20V	100mOhm @ 20A, 20V	100mOhm @ 20A, 20V	100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id	4V @ 10mA	4V @ 10mA	4V @ 10mA	4V @ 10mA	4V @ 10mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	58 nC @ 20 V	58 nC @ 20 V	58 nC @ 20 V	58 nC @ 20 V	58 nC @ 20 V
Vgs(Max)	+25V, -10V	+25V, -10V	+25V, -10V	+25V, -10V	+25V, -10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	1336 pF @ 1000 V	1336 pF @ 1000 V	1336 pF @ 1000 V	1336 pF @ 1000 V	1336 pF @ 1000 V
FETFeature	-	-	-	-	-
PowerDissipation(Max)	142W (Tc)	142W (Tc)	142W (Tc)	142W (Tc)	142W (Tc)
OperatingTemperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType	Chassis Mount	Chassis Mount	Chassis Mount	Chassis Mount	Chassis Mount