Altre categorie di prodotti

Infineon Technologies IPI65R660CFD

Name: IPI65R660CFD
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPI65R660CFD
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

Confronta

Numero parte: IPI65R660CFD

Produttore: Infineon Technologies

Categoria:: Transistor - FET, MOSFET - Singolo

Imballaggio: PG-TO262-3-1

Scheda tecnica: IPI65R660CFD.pdf

Descrizione: N-CHANNEL POWER MOSFET

Revisione qualità:: ★★★★★ 5.0/5 Revisionato dal team QC di FudongIC

Le informazioni di prodotto per IPI65R660CFD sono state verificate in base a codice, produttore, package, stock, requisiti di approvvigionamento e disponibilità di spedizione.

Quantità: RFQ Aggiungi alla lista RFQ Compra ora Aggiungi al carrello

Prezzo unitario$0

Prezzo totale$0

Pagamento

Spedizione

Applicazioni

🔍Per quali applicazioni è adatto IPI65R660CFD?

IPI65R660CFD è un prodotto di Infineon Technologies nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.

Comunicazioni e apparecchiature di rete

Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.

Sistemi automotive e controllo

Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.

Automazione industriale

Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.

Data center e piattaforme cloud

Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.

FudongIC aiuta i clienti ad acquistare IPI65R660CFD, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.

Richiedi preventivo e supporto tecnico per IPI65R660CFD

Panoramica prodotto

IPI65R660CFD è un prodotto di Infineon Technologies nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: N-CHANNEL POWER MOSFET. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.

Caratteristiche principali

Codice: IPI65R660CFD
Produttore: Infineon Technologies
Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singolo
Package: PG-TO262-3-1
Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume

Aree di applicazione

IPI65R660CFD può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.

Acquisto e supporto tecnico

Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per IPI65R660CFD, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.

Prodotti correlati

Product details

Packaging:
Bulk
Series:
CoolMOS™
ProductStatus:
Active
FETType:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
650 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
6A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):
10V
RdsOn(Max)@IdVgs:
660mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id:
4.5V @ 200µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
22 nC @ 10 V
Vgs(Max):
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
615 pF @ 100 V
FETFeature:
-
PowerDissipation(Max):
62.5W (Tc)
OperatingTemperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType:
Through Hole
Categoria:
Transistor - FET, MOSFET - Singolo
Scheda tecnica
IPI65R660CFD.pdf

IPI65R660CFD - Domande frequenti

IPI65R660CFD è attualmente disponibile a stock?▼

IPI65R660CFD è indicato su FudongIC con informazioni aggiornate sullo stock. La disponibilità visualizzata è 10483. Poiché lo stock cambia frequentemente, invia una RFQ per confermare disponibilità, prezzo e consegna in tempo reale.

Qual è la quantità minima d’ordine per IPI65R660CFD?▼

La quantità minima d’ordine per IPI65R660CFD è 1 pezzo/i. FudongIC supporta campioni, piccoli ordini e acquisti in volume.

IPI65R660CFD è originale e genuino?▼

FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. IPI65R660CFD di Infineon Technologies viene acquistato tramite canali affidabili.

Qual è il tempo di consegna tipico per IPI65R660CFD?▼

Il tempo di consegna dipende dalla posizione dello stock, dalla quantità e dalla destinazione. Per stock disponibile, possiamo organizzare spedizione con DHL, FedEx, UPS o altri servizi express.

Esistono parti alternative o equivalenti per IPI65R660CFD?▼

In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per IPI65R660CFD. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.

Immagine
Numero parte	SPW35N60C3FKSA1	IPP065N03LG	SPD50N03S2L	SP000629364	SPB03N60C3
Produttore	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Packaging	Bulk	Bulk	Bulk	Bulk	Bulk
Series	CoolMOS™	CoolMOS™	CoolMOS™	CoolMOS™	CoolMOS™
ProductStatus	Active	Active	Active	Active	Active
FETType	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	650 V	650 V	650 V	650 V	650 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	6A (Tc)	6A (Tc)	6A (Tc)	6A (Tc)	6A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)	10V	10V	10V	10V	10V
RdsOn(Max)@IdVgs	660mOhm @ 2.1A, 10V	660mOhm @ 2.1A, 10V	660mOhm @ 2.1A, 10V	660mOhm @ 2.1A, 10V	660mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id	4.5V @ 200µA	4.5V @ 200µA	4.5V @ 200µA	4.5V @ 200µA	4.5V @ 200µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	22 nC @ 10 V	22 nC @ 10 V	22 nC @ 10 V	22 nC @ 10 V	22 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V	±20V	±20V	±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	615 pF @ 100 V	615 pF @ 100 V	615 pF @ 100 V	615 pF @ 100 V	615 pF @ 100 V
FETFeature	-	-	-	-	-
PowerDissipation(Max)	62.5W (Tc)	62.5W (Tc)	62.5W (Tc)	62.5W (Tc)	62.5W (Tc)
OperatingTemperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole