Infineon Technologies SPB03N60C3

Numero parte
SPB03N60C3
Produttore
Infineon Technologies
Categoria:
Transistor - FET, MOSFET - Singolo
Imballaggio
PG-TO263-3-2
Scheda tecnica
FudongICSPB03N60C3.pdf
Descrizione
N-CHANNEL POWER MOSFET
Revisione qualità:
★★★★★ 5.0/5 Revisionato dal team QC di FudongIC

Le informazioni di prodotto per SPB03N60C3 sono state verificate in base a codice, produttore, package, stock, requisiti di approvvigionamento e disponibilità di spedizione.

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Applicazioni

🔍Per quali applicazioni è adatto SPB03N60C3?

SPB03N60C3 è un prodotto di Infineon Technologies nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.

Comunicazioni e apparecchiature di rete

Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.

Sistemi automotive e controllo

Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.

Automazione industriale

Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.

Data center e piattaforme cloud

Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.

FudongIC aiuta i clienti ad acquistare SPB03N60C3, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.

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Panoramica prodotto

SPB03N60C3 è un prodotto di Infineon Technologies nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: N-CHANNEL POWER MOSFET. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.

Caratteristiche principali

  • Codice: SPB03N60C3
  • Produttore: Infineon Technologies
  • Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singolo
  • Package: PG-TO263-3-2
  • Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
  • Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume

Aree di applicazione

SPB03N60C3 può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.

Acquisto e supporto tecnico

Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per SPB03N60C3, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.

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Product details

SPB03N60C3 - Domande frequenti

SPB03N60C3 è attualmente disponibile a stock?

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Qual è la quantità minima d’ordine per SPB03N60C3?

La quantità minima d’ordine per SPB03N60C3 è 1 pezzo/i. FudongIC supporta campioni, piccoli ordini e acquisti in volume.

SPB03N60C3 è originale e genuino?

FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. SPB03N60C3 di Infineon Technologies viene acquistato tramite canali affidabili.

Qual è il tempo di consegna tipico per SPB03N60C3?

Il tempo di consegna dipende dalla posizione dello stock, dalla quantità e dalla destinazione. Per stock disponibile, possiamo organizzare spedizione con DHL, FedEx, UPS o altri servizi express.

Esistono parti alternative o equivalenti per SPB03N60C3?

In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per SPB03N60C3. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.

Immagine SPW35N60C3FKSA1 IPP065N03LG SPD50N03S2L SP000629364 SPB03N60C3
Numero parte SPW35N60C3FKSA1 IPP065N03LG SPD50N03S2L SP000629364 SPB03N60C3
Produttore Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Packaging Bulk Bulk Bulk Bulk Bulk
Series CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™
ProductStatus Active Active Active Active Active
FETType N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V 600 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3.2A (Tc) 3.2A (Tc) 3.2A (Tc) 3.2A (Tc) 3.2A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V 10V 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 1.4Ohm @ 2A, 10V 1.4Ohm @ 2A, 10V 1.4Ohm @ 2A, 10V 1.4Ohm @ 2A, 10V 1.4Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3.9V @ 135µA 3.9V @ 135µA 3.9V @ 135µA 3.9V @ 135µA 3.9V @ 135µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 17 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V ±20V ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 400 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V
FETFeature - - - - -
PowerDissipation(Max) 38W (Tc) 38W (Tc) 38W (Tc) 38W (Tc) 38W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

SPB03N60C3 Informazioni rilevanti

I seguenti componenti sono inclusi "SPB03N60C3" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. SPB03N60C3.

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