IXYS IXTF1N250

Numero parte
IXTF1N250
Produttore
IXYS
Categoria:
Transistor - FET, MOSFET - Singolo
Imballaggio
ISOPLUS i4-PAC™
Scheda tecnica
FudongICIXTF1N250.pdf
Descrizione
MOSFET N-CH 2500V 1A ISOPLUS I4
Revisione qualità:
★★★★★ 5.0/5 Revisionato dal team QC di FudongIC

Le informazioni di prodotto per IXTF1N250 sono state verificate in base a codice, produttore, package, stock, requisiti di approvvigionamento e disponibilità di spedizione.

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Applicazioni

🔍Per quali applicazioni è adatto IXTF1N250?

IXTF1N250 è un prodotto di IXYS nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.

Comunicazioni e apparecchiature di rete

Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.

Sistemi automotive e controllo

Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.

Automazione industriale

Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.

Data center e piattaforme cloud

Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.

FudongIC aiuta i clienti ad acquistare IXTF1N250, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.

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Panoramica prodotto

IXTF1N250 è un prodotto di IXYS nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: MOSFET N-CH 2500V 1A ISOPLUS I4. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.

Caratteristiche principali

  • Codice: IXTF1N250
  • Produttore: IXYS
  • Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singolo
  • Package: ISOPLUS i4-PAC™
  • Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
  • Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume

Aree di applicazione

IXTF1N250 può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.

Acquisto e supporto tecnico

Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per IXTF1N250, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.

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Product details

IXTF1N250 - Domande frequenti

IXTF1N250 è attualmente disponibile a stock?

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Qual è la quantità minima d’ordine per IXTF1N250?

La quantità minima d’ordine per IXTF1N250 è 1 pezzo/i. FudongIC supporta campioni, piccoli ordini e acquisti in volume.

IXTF1N250 è originale e genuino?

FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. IXTF1N250 di IXYS viene acquistato tramite canali affidabili.

Qual è il tempo di consegna tipico per IXTF1N250?

Il tempo di consegna dipende dalla posizione dello stock, dalla quantità e dalla destinazione. Per stock disponibile, possiamo organizzare spedizione con DHL, FedEx, UPS o altri servizi express.

Esistono parti alternative o equivalenti per IXTF1N250?

In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per IXTF1N250. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.

Immagine IXTJ4N150 IXFN90N170SK IXTF1N250 IXTL2N470 IXTH10P50
Numero parte IXTJ4N150 IXFN90N170SK IXTF1N250 IXTL2N470 IXTH10P50
Produttore IXYS IXYS IXYS IXYS IXYS
Packaging Tube Tube Tube Tube Tube
Series - - - - -
ProductStatus Active Active Active Active Active
FETType N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 2500 V 2500 V 2500 V 2500 V 2500 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 1A (Tc) 1A (Tc) 1A (Tc) 1A (Tc) 1A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V 10V 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 40Ohm @ 500mA, 10V 40Ohm @ 500mA, 10V 40Ohm @ 500mA, 10V 40Ohm @ 500mA, 10V 40Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 41 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V ±20V ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1660 pF @ 25 V 1660 pF @ 25 V 1660 pF @ 25 V 1660 pF @ 25 V 1660 pF @ 25 V
FETFeature - - - - -
PowerDissipation(Max) 110W 110W 110W 110W 110W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

IXTF1N250 Informazioni rilevanti

I seguenti componenti sono inclusi "IXTF1N250" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. IXTF1N250.

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