Tutte le categorie

Altre categorie di prodotti

IXYS IXTP08N100P

Name: IXTP08N100P
Brand: IXYS
SKU: IXTP08N100P
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

Confronta

Numero parte: IXTP08N100P

Produttore: IXYS

Categoria:: Transistor - FET, MOSFET - Singolo

Imballaggio: TO-220-3

Scheda tecnica: IXTP08N100P.pdf

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB

Revisione qualità:: ★★★★★ 5.0/5 Revisionato dal team QC di FudongIC

Le informazioni di prodotto per IXTP08N100P sono state verificate in base a codice, produttore, package, stock, requisiti di approvvigionamento e disponibilità di spedizione.

Quantità: RFQ Aggiungi alla lista RFQ Compra ora Aggiungi al carrello

Prezzo unitario$0

Prezzo totale$0

Pagamento

Spedizione

Applicazioni

🔍Per quali applicazioni è adatto IXTP08N100P?

IXTP08N100P è un prodotto di IXYS nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.

Comunicazioni e apparecchiature di rete

Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.

Sistemi automotive e controllo

Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.

Automazione industriale

Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.

Data center e piattaforme cloud

Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.

FudongIC aiuta i clienti ad acquistare IXTP08N100P, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.

Richiedi preventivo e supporto tecnico per IXTP08N100P

Panoramica prodotto

IXTP08N100P è un prodotto di IXYS nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.

Caratteristiche principali

Codice: IXTP08N100P
Produttore: IXYS
Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singolo
Package: TO-220-3
Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume

Aree di applicazione

IXTP08N100P può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.

Acquisto e supporto tecnico

Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per IXTP08N100P, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.

Prodotti correlati

Product details

Packaging:
Tube
Series:
Polar
ProductStatus:
Active
FETType:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
1000 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
800mA (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):
10V
RdsOn(Max)@IdVgs:
20Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id:
4V @ 50µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
11.3 nC @ 10 V
Vgs(Max):
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
240 pF @ 25 V
FETFeature:
-
PowerDissipation(Max):
42W (Tc)
OperatingTemperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType:
Through Hole
Categoria:
Transistor - FET, MOSFET - Singolo
Scheda tecnica
IXTP08N100P.pdf

IXTP08N100P - Domande frequenti

IXTP08N100P è attualmente disponibile a stock?▼

IXTP08N100P è indicato su FudongIC con informazioni aggiornate sullo stock. La disponibilità visualizzata è 287. Poiché lo stock cambia frequentemente, invia una RFQ per confermare disponibilità, prezzo e consegna in tempo reale.

Qual è la quantità minima d’ordine per IXTP08N100P?▼

La quantità minima d’ordine per IXTP08N100P è 1 pezzo/i. FudongIC supporta campioni, piccoli ordini e acquisti in volume.

IXTP08N100P è originale e genuino?▼

FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. IXTP08N100P di IXYS viene acquistato tramite canali affidabili.

Qual è il tempo di consegna tipico per IXTP08N100P?▼

Il tempo di consegna dipende dalla posizione dello stock, dalla quantità e dalla destinazione. Per stock disponibile, possiamo organizzare spedizione con DHL, FedEx, UPS o altri servizi express.

Esistono parti alternative o equivalenti per IXTP08N100P?▼

In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per IXTP08N100P. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.

Immagine
Numero parte	IXTP12N50P	IXTK82N25P	IXTP1N100P	IXTP08N100P	IXTH30N50P
Produttore	IXYS	IXYS	IXYS	IXYS	IXYS
Packaging	Tube	Tube	Tube	Tube	Tube
Series	Polar	Polar	Polar	Polar	Polar
ProductStatus	Active	Active	Active	Active	Active
FETType	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	1000 V	1000 V	1000 V	1000 V	1000 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	800mA (Tc)	800mA (Tc)	800mA (Tc)	800mA (Tc)	800mA (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)	10V	10V	10V	10V	10V
RdsOn(Max)@IdVgs	20Ohm @ 500mA, 10V	20Ohm @ 500mA, 10V	20Ohm @ 500mA, 10V	20Ohm @ 500mA, 10V	20Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id	4V @ 50µA	4V @ 50µA	4V @ 50µA	4V @ 50µA	4V @ 50µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	11.3 nC @ 10 V	11.3 nC @ 10 V	11.3 nC @ 10 V	11.3 nC @ 10 V	11.3 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V	±20V	±20V	±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	240 pF @ 25 V	240 pF @ 25 V	240 pF @ 25 V	240 pF @ 25 V	240 pF @ 25 V
FETFeature	-	-	-	-	-
PowerDissipation(Max)	42W (Tc)	42W (Tc)	42W (Tc)	42W (Tc)	42W (Tc)
OperatingTemperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole