Microsemi Corporation JAN2N6798U

Numero parte
JAN2N6798U
Produttore
Microsemi Corporation
Categoria:
Transistor - FET, MOSFET - Singolo
Imballaggio
18-ULCC (9.14x7.49)
Scheda tecnica
FudongICJAN2N6798U.pdf
Descrizione
MOSFET N-CH 200V 5.5A 18ULCC
Revisione qualità:
★★★★★ 5.0/5 Revisionato dal team QC di FudongIC

Le informazioni di prodotto per JAN2N6798U sono state verificate in base a codice, produttore, package, stock, requisiti di approvvigionamento e disponibilità di spedizione.

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Applicazioni

🔍Per quali applicazioni è adatto JAN2N6798U?

JAN2N6798U è un prodotto di Microsemi Corporation nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.

Comunicazioni e apparecchiature di rete

Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.

Sistemi automotive e controllo

Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.

Automazione industriale

Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.

Data center e piattaforme cloud

Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.

FudongIC aiuta i clienti ad acquistare JAN2N6798U, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.

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Panoramica prodotto

JAN2N6798U è un prodotto di Microsemi Corporation nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: MOSFET N-CH 200V 5.5A 18ULCC. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.

Caratteristiche principali

  • Codice: JAN2N6798U
  • Produttore: Microsemi Corporation
  • Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singolo
  • Package: 18-ULCC (9.14x7.49)
  • Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
  • Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume

Aree di applicazione

JAN2N6798U può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.

Acquisto e supporto tecnico

Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per JAN2N6798U, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.

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Product details

JAN2N6798U - Domande frequenti

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La quantità minima d’ordine per JAN2N6798U è 1 pezzo/i. FudongIC supporta campioni, piccoli ordini e acquisti in volume.

JAN2N6798U è originale e genuino?

FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. JAN2N6798U di Microsemi Corporation viene acquistato tramite canali affidabili.

Qual è il tempo di consegna tipico per JAN2N6798U?

Il tempo di consegna dipende dalla posizione dello stock, dalla quantità e dalla destinazione. Per stock disponibile, possiamo organizzare spedizione con DHL, FedEx, UPS o altri servizi express.

Esistono parti alternative o equivalenti per JAN2N6798U?

In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per JAN2N6798U. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.

Immagine JAN2N6796 JAN2N6796U JAN2N6798 JAN2N6798U JAN2N6800
Numero parte JAN2N6796 JAN2N6796U JAN2N6798 JAN2N6798U JAN2N6800
Produttore Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation
Packaging Bulk Bulk Bulk Bulk Bulk
Series Military, MIL-PRF-19500/557 Military, MIL-PRF-19500/557 Military, MIL-PRF-19500/557 Military, MIL-PRF-19500/557 Military, MIL-PRF-19500/557
ProductStatus Obsolete Obsolete Obsolete Obsolete Obsolete
FETType N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 200 V 200 V 200 V 200 V 200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 5.5A (Tc) 5.5A (Tc) 5.5A (Tc) 5.5A (Tc) 5.5A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V 10V 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 420mOhm @ 5.5A, 10V 420mOhm @ 5.5A, 10V 420mOhm @ 5.5A, 10V 420mOhm @ 5.5A, 10V 420mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 42.07 nC @ 10 V 42.07 nC @ 10 V 42.07 nC @ 10 V 42.07 nC @ 10 V 42.07 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V ±20V ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds - - - - -
FETFeature - - - - -
PowerDissipation(Max) 800mW (Ta), 25W (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

JAN2N6798U Informazioni rilevanti

I seguenti componenti sono inclusi "JAN2N6798U" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. JAN2N6798U.

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