onsemi NTLJS1102PTAG

Numero parte
NTLJS1102PTAG
Produttore
onsemi
Categoria:
Transistor - FET, MOSFET - Singolo
Imballaggio
6-WDFN (2x2)
Scheda tecnica
FudongICNTLJS1102PTAG.pdf
Descrizione
MOSFET P-CH 8V 3.7A 6WDFN
Revisione qualità:
★★★★★ 5.0/5 Revisionato dal team QC di FudongIC

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Applicazioni

🔍Per quali applicazioni è adatto NTLJS1102PTAG?

NTLJS1102PTAG è un prodotto di onsemi nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.

Comunicazioni e apparecchiature di rete

Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.

Sistemi automotive e controllo

Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.

Automazione industriale

Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.

Data center e piattaforme cloud

Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.

FudongIC aiuta i clienti ad acquistare NTLJS1102PTAG, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.

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Panoramica prodotto

NTLJS1102PTAG è un prodotto di onsemi nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: MOSFET P-CH 8V 3.7A 6WDFN. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.

Caratteristiche principali

  • Codice: NTLJS1102PTAG
  • Produttore: onsemi
  • Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singolo
  • Package: 6-WDFN (2x2)
  • Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
  • Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume

Aree di applicazione

NTLJS1102PTAG può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.

Acquisto e supporto tecnico

Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per NTLJS1102PTAG, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.

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Product details

NTLJS1102PTAG - Domande frequenti

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Qual è la quantità minima d’ordine per NTLJS1102PTAG?

La quantità minima d’ordine per NTLJS1102PTAG è 1 pezzo/i. FudongIC supporta campioni, piccoli ordini e acquisti in volume.

NTLJS1102PTAG è originale e genuino?

FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. NTLJS1102PTAG di onsemi viene acquistato tramite canali affidabili.

Qual è il tempo di consegna tipico per NTLJS1102PTAG?

Il tempo di consegna dipende dalla posizione dello stock, dalla quantità e dalla destinazione. Per stock disponibile, possiamo organizzare spedizione con DHL, FedEx, UPS o altri servizi express.

Esistono parti alternative o equivalenti per NTLJS1102PTAG?

In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per NTLJS1102PTAG. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.

Immagine NTLJS2103PTBG NTLUS3A40PZTAG NTLJS1102PTAG NTLJS1102PTBG NTLUS3A18PZTAG
Numero parte NTLJS2103PTBG NTLUS3A40PZTAG NTLJS1102PTAG NTLJS1102PTBG NTLUS3A18PZTAG
Produttore onsemi onsemi onsemi onsemi onsemi
Packaging Tape & Reel (TR),Bulk Tape & Reel (TR),Bulk Tape & Reel (TR),Bulk Tape & Reel (TR),Bulk Tape & Reel (TR),Bulk
Series µCool™ µCool™ µCool™ µCool™ µCool™
ProductStatus Obsolete Obsolete Obsolete Obsolete Obsolete
FETType P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 8 V 8 V 8 V 8 V 8 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3.7A (Ta) 3.7A (Ta) 3.7A (Ta) 3.7A (Ta) 3.7A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 1.2V, 4.5V 1.2V, 4.5V 1.2V, 4.5V 1.2V, 4.5V 1.2V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs 36mOhm @ 6.2A, 4.5V 36mOhm @ 6.2A, 4.5V 36mOhm @ 6.2A, 4.5V 36mOhm @ 6.2A, 4.5V 36mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 720mV @ 250µA 720mV @ 250µA 720mV @ 250µA 720mV @ 250µA 720mV @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 25 nC @ 4.5 V 25 nC @ 4.5 V 25 nC @ 4.5 V 25 nC @ 4.5 V 25 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±6V ±6V ±6V ±6V ±6V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1585 pF @ 4 V 1585 pF @ 4 V 1585 pF @ 4 V 1585 pF @ 4 V 1585 pF @ 4 V
FETFeature - - - - -
PowerDissipation(Max) 700mW (Ta) 700mW (Ta) 700mW (Ta) 700mW (Ta) 700mW (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

NTLJS1102PTAG Informazioni rilevanti

I seguenti componenti sono inclusi "NTLJS1102PTAG" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. NTLJS1102PTAG.

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