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Carica BOM
Fairchild Semiconductor NVD6416ANLT4G
- Numero parte
- NVD6416ANLT4G
- Produttore
- Fairchild Semiconductor
- Categoria:
- Transistor - FET, MOSFET - Singolo
- Imballaggio
- DPAK
- Scheda tecnica
-
NVD6416ANLT4G.pdf
- Descrizione
- MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
- Revisione qualità:
-
★★★★★ 5.0/5 Revisionato dal team QC di FudongIC
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Per quali applicazioni è adatto NVD6416ANLT4G?
NVD6416ANLT4G è un prodotto di Fairchild Semiconductor nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.
Comunicazioni e apparecchiature di rete
Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.
Sistemi automotive e controllo
Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.
Automazione industriale
Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.
Data center e piattaforme cloud
Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.
FudongIC aiuta i clienti ad acquistare NVD6416ANLT4G, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.
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NVD6416ANLT4G è un prodotto di Fairchild Semiconductor nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: MOSFET N-CH 100V 19A DPAK. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.
Caratteristiche principali
- Codice: NVD6416ANLT4G
- Produttore: Fairchild Semiconductor
- Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singolo
- Package: DPAK
- Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
- Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume
Aree di applicazione
NVD6416ANLT4G può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.
Acquisto e supporto tecnico
Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per NVD6416ANLT4G, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.
Prodotti correlati
Product details
- Packaging:Bulk
- Series:Automotive, AEC-Q101
- ProductStatus:Obsolete
- FETType:N-Channel
- Technology:MOSFET (Metal Oxide)
- DraintoSourceVoltage(Vdss):100 V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:19A (Tc)
- DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):4.5V, 10V
- RdsOn(Max)@IdVgs:74mOhm @ 19A, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:2.2V @ 250µA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:40 nC @ 10 V
- Vgs(Max):±20V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:1000 pF @ 25 V
- FETFeature:-
- PowerDissipation(Max):71W (Tc)
- OperatingTemperature:-55°C ~ 175°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount
- Categoria:
- Scheda tecnica
NVD6416ANLT4G - Domande frequenti
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In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per NVD6416ANLT4G. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.
| Immagine |  |
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| Numero parte | FQB27N25TM-F085 | FQB25N33TM-F085 | NVD6416ANLT4G | FDS9431A-F085 | FQI27N25TU-F085 |
| Produttore | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| Packaging | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| Series | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 |
| ProductStatus | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete |
| FETType | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 19A (Tc) | 19A (Tc) | 19A (Tc) | 19A (Tc) | 19A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 74mOhm @ 19A, 10V | 74mOhm @ 19A, 10V | 74mOhm @ 19A, 10V | 74mOhm @ 19A, 10V | 74mOhm @ 19A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 40 nC @ 10 V | 40 nC @ 10 V | 40 nC @ 10 V | 40 nC @ 10 V | 40 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 1000 pF @ 25 V | 1000 pF @ 25 V | 1000 pF @ 25 V | 1000 pF @ 25 V | 1000 pF @ 25 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 71W (Tc) | 71W (Tc) | 71W (Tc) | 71W (Tc) | 71W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays(5629)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – HF(2777)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren(42446)
NVD6416ANLT4G Informazioni rilevanti
I seguenti componenti sono inclusi "NVD6416ANLT4G" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. NVD6416ANLT4G.
- Numero parte
- Produttore
- Imballaggio
- Descrizione
I seguenti componenti sono quelli più cercati in: Transistor - FET, MOSFET - Singolo.
Si prega di inviare una RFQ.
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-
STF18N65M2
STMicroelectronics
-
TK65A10N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
-
SIHP17N80AE-GE3
Vishay Siliconix
-
FCPF9N60NT
onsemi
-
SIHP18N50C-E3
Vishay Siliconix
-
STP24N60M6
STMicroelectronics
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