NXP USA Inc. PDTA115EMB,315

Numero parte
PDTA115EMB,315
Produttore
NXP USA Inc.
Categoria:
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, Pre-polarizzati
Imballaggio
SC-101, SOT-883
Scheda tecnica
FudongICPDTA115EMB,315.pdf
Descrizione
NOW NEXPERIA PDTA115EMB - SMALL
Revisione qualità:
★★★★★ 5.0/5 Revisionato dal team QC di FudongIC

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Applicazioni

🔍Per quali applicazioni è adatto PDTA115EMB,315?

PDTA115EMB,315 è un prodotto di NXP USA Inc. nella categoria Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, Pre-polarizzati. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.

Comunicazioni e apparecchiature di rete

Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.

Sistemi automotive e controllo

Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.

Automazione industriale

Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.

Data center e piattaforme cloud

Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.

FudongIC aiuta i clienti ad acquistare PDTA115EMB,315, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.

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Panoramica prodotto

PDTA115EMB,315 è un prodotto di NXP USA Inc. nella categoria Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, Pre-polarizzati. Descrizione: NOW NEXPERIA PDTA115EMB - SMALL. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.

Caratteristiche principali

  • Codice: PDTA115EMB,315
  • Produttore: NXP USA Inc.
  • Categoria: Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, Pre-polarizzati
  • Package: SC-101, SOT-883
  • Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
  • Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume

Aree di applicazione

PDTA115EMB,315 può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.

Acquisto e supporto tecnico

Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per PDTA115EMB,315, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.

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Product details

PDTA115EMB,315 - Domande frequenti

PDTA115EMB,315 è attualmente disponibile a stock?

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Qual è la quantità minima d’ordine per PDTA115EMB,315?

La quantità minima d’ordine per PDTA115EMB,315 è 1 pezzo/i. FudongIC supporta campioni, piccoli ordini e acquisti in volume.

PDTA115EMB,315 è originale e genuino?

FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. PDTA115EMB,315 di NXP USA Inc. viene acquistato tramite canali affidabili.

Qual è il tempo di consegna tipico per PDTA115EMB,315?

Il tempo di consegna dipende dalla posizione dello stock, dalla quantità e dalla destinazione. Per stock disponibile, possiamo organizzare spedizione con DHL, FedEx, UPS o altri servizi express.

Esistono parti alternative o equivalenti per PDTA115EMB,315?

In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per PDTA115EMB,315. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.

Immagine PDTA113EU,115 PDTC124EMB,315 PDTA144EMB,315 PDTA115EMB,315 PDTA123JMB,315
Numero parte PDTA113EU,115 PDTC124EMB,315 PDTA144EMB,315 PDTA115EMB,315 PDTA123JMB,315
Produttore NXP USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc.
Packaging Bulk Bulk Bulk Bulk Bulk
Series - - - - -
ProductStatus Active Active Active Active Active
TransistorType PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased
Current-Collector(Ic)(Max) 20 mA 20 mA 20 mA 20 mA 20 mA
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V
Resistor-Base(R1) 100 kOhms 100 kOhms 100 kOhms 100 kOhms 100 kOhms
Resistor-EmitterBase(R2) 100 kOhms 100 kOhms 100 kOhms 100 kOhms 100 kOhms
DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce 80 @ 5mA, 5V 80 @ 5mA, 5V 80 @ 5mA, 5V 80 @ 5mA, 5V 80 @ 5mA, 5V
VceSaturation(Max)@IbIc 150mV @ 250µA, 5mA 150mV @ 250µA, 5mA 150mV @ 250µA, 5mA 150mV @ 250µA, 5mA 150mV @ 250µA, 5mA
Current-CollectorCutoff(Max) 1µA 1µA 1µA 1µA 1µA
Frequency-Transition 180 MHz 180 MHz 180 MHz 180 MHz 180 MHz
Power-Max 250 mW 250 mW 250 mW 250 mW 250 mW
MountingType Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

PDTA115EMB,315 Informazioni rilevanti

I seguenti componenti sono inclusi "PDTA115EMB,315" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. PDTA115EMB,315.

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Diodes Incorporated

DTC114EKAT146

DTC114EKAT146

Rohm Semiconductor

DTC143EKAT146

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Rohm Semiconductor

DRDNB16W-7

DRDNB16W-7

Diodes Incorporated

DTD123YKT146

DTD123YKT146

Rohm Semiconductor

PDTC143ZT,235

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