Altre categorie di prodotti

Harris Corporation RF1S50N06

Name: RF1S50N06
Brand: Harris Corporation
SKU: RF1S50N06
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

Confronta

Numero parte: RF1S50N06

Produttore: Harris Corporation

Categoria:: Transistor - FET, MOSFET - Singolo

Imballaggio: I2PAK (TO-262)

Scheda tecnica: RF1S50N06.pdf

Descrizione: 50A, 60V, 0.022 OHM, N-CHANNEL

Revisione qualità:: ★★★★★ 5.0/5 Revisionato dal team QC di FudongIC

Le informazioni di prodotto per RF1S50N06 sono state verificate in base a codice, produttore, package, stock, requisiti di approvvigionamento e disponibilità di spedizione.

Quantità: RFQ Aggiungi alla lista RFQ Compra ora Aggiungi al carrello

Prezzo unitario$0

Prezzo totale$0

Pagamento

Spedizione

Applicazioni

🔍Per quali applicazioni è adatto RF1S50N06?

RF1S50N06 è un prodotto di Harris Corporation nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.

Comunicazioni e apparecchiature di rete

Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.

Sistemi automotive e controllo

Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.

Automazione industriale

Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.

Data center e piattaforme cloud

Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.

FudongIC aiuta i clienti ad acquistare RF1S50N06, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.

Richiedi preventivo e supporto tecnico per RF1S50N06

Panoramica prodotto

RF1S50N06 è un prodotto di Harris Corporation nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: 50A, 60V, 0.022 OHM, N-CHANNEL. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.

Caratteristiche principali

Codice: RF1S50N06
Produttore: Harris Corporation
Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singolo
Package: I2PAK (TO-262)
Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume

Aree di applicazione

RF1S50N06 può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.

Acquisto e supporto tecnico

Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per RF1S50N06, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.

Prodotti correlati

Product details

Packaging:
Bulk
Series:
-
ProductStatus:
Active
FETType:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
50A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):
10V
RdsOn(Max)@IdVgs:
22mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id:
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
150 nC @ 20 V
Vgs(Max):
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
2020 pF @ 25 V
FETFeature:
-
PowerDissipation(Max):
131W (Tc)
OperatingTemperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType:
Through Hole
Categoria:
Transistor - FET, MOSFET - Singolo
Scheda tecnica
RF1S50N06.pdf

RF1S50N06 - Domande frequenti

RF1S50N06 è attualmente disponibile a stock?▼

RF1S50N06 è indicato su FudongIC con informazioni aggiornate sullo stock. La disponibilità visualizzata è 2746. Poiché lo stock cambia frequentemente, invia una RFQ per confermare disponibilità, prezzo e consegna in tempo reale.

Qual è la quantità minima d’ordine per RF1S50N06?▼

La quantità minima d’ordine per RF1S50N06 è 1 pezzo/i. FudongIC supporta campioni, piccoli ordini e acquisti in volume.

RF1S50N06 è originale e genuino?▼

FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. RF1S50N06 di Harris Corporation viene acquistato tramite canali affidabili.

Qual è il tempo di consegna tipico per RF1S50N06?▼

Il tempo di consegna dipende dalla posizione dello stock, dalla quantità e dalla destinazione. Per stock disponibile, possiamo organizzare spedizione con DHL, FedEx, UPS o altri servizi express.

Esistono parti alternative o equivalenti per RF1S50N06?▼

In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per RF1S50N06. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.

Immagine
Numero parte	RFP2P08	RFP2N08	RFP2N10	RFD4N06L	RFP8P06LE
Produttore	Harris Corporation	Harris Corporation	Harris Corporation	Harris Corporation	Harris Corporation
Packaging	Bulk	Bulk	Bulk	Bulk	Bulk
Series	-	-	-	-	-
ProductStatus	Active	Active	Active	Active	Active
FETType	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	60 V	60 V	60 V	60 V	60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	50A (Tc)	50A (Tc)	50A (Tc)	50A (Tc)	50A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)	10V	10V	10V	10V	10V
RdsOn(Max)@IdVgs	22mOhm @ 50A, 10V	22mOhm @ 50A, 10V	22mOhm @ 50A, 10V	22mOhm @ 50A, 10V	22mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id	4V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	150 nC @ 20 V	150 nC @ 20 V	150 nC @ 20 V	150 nC @ 20 V	150 nC @ 20 V
Vgs(Max)	±20V	±20V	±20V	±20V	±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	2020 pF @ 25 V	2020 pF @ 25 V	2020 pF @ 25 V	2020 pF @ 25 V	2020 pF @ 25 V
FETFeature	-	-	-	-	-
PowerDissipation(Max)	131W (Tc)	131W (Tc)	131W (Tc)	131W (Tc)	131W (Tc)
OperatingTemperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole