Harris Corporation RFP2N08

Numero parte
RFP2N08
Produttore
Harris Corporation
Categoria:
Transistor - FET, MOSFET - Singolo
Imballaggio
TO-220
Scheda tecnica
FudongICRFP2N08.pdf
Descrizione
N-CHANNEL, MOSFET
Revisione qualità:
★★★★★ 5.0/5 Revisionato dal team QC di FudongIC

Le informazioni di prodotto per RFP2N08 sono state verificate in base a codice, produttore, package, stock, requisiti di approvvigionamento e disponibilità di spedizione.

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Applicazioni

🔍Per quali applicazioni è adatto RFP2N08?

RFP2N08 è un prodotto di Harris Corporation nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.

Comunicazioni e apparecchiature di rete

Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.

Sistemi automotive e controllo

Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.

Automazione industriale

Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.

Data center e piattaforme cloud

Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.

FudongIC aiuta i clienti ad acquistare RFP2N08, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.

Richiedi preventivo e supporto tecnico per RFP2N08

Panoramica prodotto

RFP2N08 è un prodotto di Harris Corporation nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: N-CHANNEL, MOSFET. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.

Caratteristiche principali

  • Codice: RFP2N08
  • Produttore: Harris Corporation
  • Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singolo
  • Package: TO-220
  • Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
  • Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume

Aree di applicazione

RFP2N08 può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.

Acquisto e supporto tecnico

Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per RFP2N08, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.

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Product details

RFP2N08 - Domande frequenti

RFP2N08 è attualmente disponibile a stock?

RFP2N08 è indicato su FudongIC con informazioni aggiornate sullo stock. La disponibilità visualizzata è 3360. Poiché lo stock cambia frequentemente, invia una RFQ per confermare disponibilità, prezzo e consegna in tempo reale.

Qual è la quantità minima d’ordine per RFP2N08?

La quantità minima d’ordine per RFP2N08 è 1 pezzo/i. FudongIC supporta campioni, piccoli ordini e acquisti in volume.

RFP2N08 è originale e genuino?

FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. RFP2N08 di Harris Corporation viene acquistato tramite canali affidabili.

Qual è il tempo di consegna tipico per RFP2N08?

Il tempo di consegna dipende dalla posizione dello stock, dalla quantità e dalla destinazione. Per stock disponibile, possiamo organizzare spedizione con DHL, FedEx, UPS o altri servizi express.

Esistono parti alternative o equivalenti per RFP2N08?

In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per RFP2N08. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.

Immagine RFP2P08 RFP2N08 RFP2N10 RFD4N06L RFP8P06LE
Numero parte RFP2P08 RFP2N08 RFP2N10 RFD4N06L RFP8P06LE
Produttore Harris Corporation Harris Corporation Harris Corporation Harris Corporation Harris Corporation
Packaging Bulk Bulk Bulk Bulk Bulk
Series - - - - -
ProductStatus Active Active Active Active Active
FETType N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 2A (Tc) 2A (Tc) 2A (Tc) 2A (Tc) 2A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V 10V 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 1.05Ohm @ 2A, 5V 1.05Ohm @ 2A, 5V 1.05Ohm @ 2A, 5V 1.05Ohm @ 2A, 5V 1.05Ohm @ 2A, 5V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs - - - - -
Vgs(Max) ±20V ±20V ±20V ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 200 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V
FETFeature - - - - -
PowerDissipation(Max) 25W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

RFP2N08 Informazioni rilevanti

I seguenti componenti sono inclusi "RFP2N08" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. RFP2N08.

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TK65A10N1,S4X

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