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Harris Corporation RFD3N08LSM9A

Name: RFD3N08LSM9A
Brand: Harris Corporation
SKU: RFD3N08LSM9A
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

Confronta

Numero parte: RFD3N08LSM9A

Produttore: Harris Corporation

Categoria:: Transistor - FET, MOSFET - Singolo

Imballaggio: TO-252-3 (DPAK)

Scheda tecnica: RFD3N08LSM9A.pdf

Descrizione: N-CHANNEL POWER MOSFET

Revisione qualità:: ★★★★★ 5.0/5 Revisionato dal team QC di FudongIC

Le informazioni di prodotto per RFD3N08LSM9A sono state verificate in base a codice, produttore, package, stock, requisiti di approvvigionamento e disponibilità di spedizione.

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Applicazioni

🔍Per quali applicazioni è adatto RFD3N08LSM9A?

RFD3N08LSM9A è un prodotto di Harris Corporation nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.

Comunicazioni e apparecchiature di rete

Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.

Sistemi automotive e controllo

Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.

Automazione industriale

Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.

Data center e piattaforme cloud

Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.

FudongIC aiuta i clienti ad acquistare RFD3N08LSM9A, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.

Richiedi preventivo e supporto tecnico per RFD3N08LSM9A

Panoramica prodotto

RFD3N08LSM9A è un prodotto di Harris Corporation nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: N-CHANNEL POWER MOSFET. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.

Caratteristiche principali

Codice: RFD3N08LSM9A
Produttore: Harris Corporation
Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singolo
Package: TO-252-3 (DPAK)
Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume

Aree di applicazione

RFD3N08LSM9A può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.

Acquisto e supporto tecnico

Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per RFD3N08LSM9A, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.

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Product details

Packaging:
Bulk
Series:
-
ProductStatus:
Active
FETType:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
80 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
3A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):
5V
RdsOn(Max)@IdVgs:
800mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th)(Max)@Id:
2.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
8.5 nC @ 10 V
Vgs(Max):
±10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
125 pF @ 25 V
FETFeature:
-
PowerDissipation(Max):
30W (Tc)
OperatingTemperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType:
Surface Mount
Categoria:
Transistor - FET, MOSFET - Singolo
Scheda tecnica
RFD3N08LSM9A.pdf

RFD3N08LSM9A - Domande frequenti

RFD3N08LSM9A è attualmente disponibile a stock?▼

RFD3N08LSM9A è indicato su FudongIC con informazioni aggiornate sullo stock. La disponibilità visualizzata è 2425. Poiché lo stock cambia frequentemente, invia una RFQ per confermare disponibilità, prezzo e consegna in tempo reale.

Qual è la quantità minima d’ordine per RFD3N08LSM9A?▼

La quantità minima d’ordine per RFD3N08LSM9A è 1 pezzo/i. FudongIC supporta campioni, piccoli ordini e acquisti in volume.

RFD3N08LSM9A è originale e genuino?▼

FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. RFD3N08LSM9A di Harris Corporation viene acquistato tramite canali affidabili.

Qual è il tempo di consegna tipico per RFD3N08LSM9A?▼

Il tempo di consegna dipende dalla posizione dello stock, dalla quantità e dalla destinazione. Per stock disponibile, possiamo organizzare spedizione con DHL, FedEx, UPS o altri servizi express.

Esistono parti alternative o equivalenti per RFD3N08LSM9A?▼

In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per RFD3N08LSM9A. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.

Immagine
Numero parte	RFP2P08	RFP2N08	RFP2N10	RFD4N06L	RFP8P06LE
Produttore	Harris Corporation	Harris Corporation	Harris Corporation	Harris Corporation	Harris Corporation
Packaging	Bulk	Bulk	Bulk	Bulk	Bulk
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ProductStatus	Active	Active	Active	Active	Active
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Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	80 V	80 V	80 V	80 V	80 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	3A (Tc)	3A (Tc)	3A (Tc)	3A (Tc)	3A (Tc)
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FETFeature	-	-	-	-	-
PowerDissipation(Max)	30W (Tc)	30W (Tc)	30W (Tc)	30W (Tc)	30W (Tc)
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MountingType	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount