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RJS6005WDPK-00#T0 è un prodotto di Renesas Electronics America Inc nella categoria Diodi - Raddrizzatori - Array. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.
Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.
Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.
Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.
Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.
FudongIC aiuta i clienti ad acquistare RJS6005WDPK-00#T0, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.
Richiedi preventivo e supporto tecnico per RJS6005WDPK-00#T0RJS6005WDPK-00#T0 è un prodotto di Renesas Electronics America Inc nella categoria Diodi - Raddrizzatori - Array. Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 30A. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.
RJS6005WDPK-00#T0 può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.
Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per RJS6005WDPK-00#T0, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.
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La quantità minima d’ordine per RJS6005WDPK-00#T0 è 1 pezzo/i. FudongIC supporta campioni, piccoli ordini e acquisti in volume.
FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. RJS6005WDPK-00#T0 di Renesas Electronics America Inc viene acquistato tramite canali affidabili.
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In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per RJS6005WDPK-00#T0. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.
| Immagine | ![]() |
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| Numero parte | RJU60C3WDPP-M0#T2 | RJS6004WDPK-00#T0 | RJS6005WDPK-00#T0 | HRB0103BTR-E | RJS6004WDPK-00#T0 |
| Produttore | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc |
| Packaging | Tube | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Series | - | - | - | - | - |
| ProductStatus | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete |
| DiodeConfiguration | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| DiodeType | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| Current-AverageRectified(Io)(perDiode) | 15A (DC) | 15A (DC) | 15A (DC) | 15A (DC) | 15A (DC) |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.8 V @ 15 A | 1.8 V @ 15 A | 1.8 V @ 15 A | 1.8 V @ 15 A | 1.8 V @ 15 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 15 ns | 15 ns | 15 ns | 15 ns | 15 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V |
| OperatingTemperature-Junction | -55°C ~ 155°C | -55°C ~ 155°C | -55°C ~ 155°C | -55°C ~ 155°C | -55°C ~ 155°C |
| MountingType | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
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NEXPERIA BAV99 - DUAL HIGH-SPEED
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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