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Carica BOM
Toshiba Semiconductor and Storage TK31E60X,S1X
- Numero parte
- TK31E60X,S1X
- Produttore
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Categoria:
- Transistor - FET, MOSFET - Singolo
- Imballaggio
- TO-220
- Scheda tecnica
-
TK31E60X,S1X.pdf
- Descrizione
- MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
- Revisione qualità:
-
★★★★★ 5.0/5 Revisionato dal team QC di FudongIC
Le informazioni di prodotto per TK31E60X,S1X sono state verificate in base a codice, produttore, package, stock, requisiti di approvvigionamento e disponibilità di spedizione.
- Quantità
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Per quali applicazioni è adatto TK31E60X,S1X?
TK31E60X,S1X è un prodotto di Toshiba Semiconductor and Storage nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. È adatto a progetti elettronici che richiedono verifica dei parametri, fornitura stabile, confronto BOM e supporto all’acquisto.
Comunicazioni e apparecchiature di rete
Adatto a moduli di comunicazione, stazioni base, apparecchiature di rete e trasmissione dati industriale.
Sistemi automotive e controllo
Applicabile a elettronica automotive, moduli di controllo, sensori e progetti embedded con requisiti di parametri e fornitura.
Automazione industriale
Utile per apparecchiature industriali, controllo motori, strumenti di misura, sistemi di automazione e schede elettroniche.
Data center e piattaforme cloud
Compatibile con server, data center, alimentatori, schede di controllo e sistemi elettronici affidabili.
FudongIC aiuta i clienti ad acquistare TK31E60X,S1X, inclusi controllo stock, conferma prezzo, confronto BOM e selezione tecnica.
Richiedi preventivo e supporto tecnico per TK31E60X,S1XPanoramica prodotto
TK31E60X,S1X è un prodotto di Toshiba Semiconductor and Storage nella categoria Transistor - FET, MOSFET - Singolo. Descrizione: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220. FudongIC aiuta i clienti con verifica datasheet, conferma stock, preventivi, confronto BOM e selezione tecnica.
Caratteristiche principali
- Codice: TK31E60X,S1X
- Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
- Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singolo
- Package: TO-220
- Supporto per datasheet, conferma stock e preventivo
- Adatto a campioni, piccoli ordini e acquisti in volume
Aree di applicazione
TK31E60X,S1X può essere utilizzato in comunicazioni, automazione industriale, elettronica automotive, data center, sistemi embedded, energia, controllo e altri progetti elettronici.
Acquisto e supporto tecnico
Se hai bisogno di stock, prezzi a volume, tempi di consegna, alternative o documentazione tecnica per TK31E60X,S1X, invia una richiesta a FudongIC. Il nostro team ti aiuterà in base ad applicazione, parametri, package e quantità.
Prodotti correlati
Product details
- Packaging:Tube
- Series:DTMOSIV-H
- ProductStatus:Active
- FETType:N-Channel
- Technology:MOSFET (Metal Oxide)
- DraintoSourceVoltage(Vdss):600 V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:30.8A (Ta)
- DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):10V
- RdsOn(Max)@IdVgs:88mOhm @ 9.4A, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:3.5V @ 1.5mA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:65 nC @ 10 V
- Vgs(Max):±30V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:3000 pF @ 300 V
- FETFeature:Super Junction
- PowerDissipation(Max):230W (Tc)
- OperatingTemperature:150°C (TJ)
- MountingType:Through Hole
- Categoria:
- Scheda tecnica
TK31E60X,S1X - Domande frequenti
TK31E60X,S1X è indicato su FudongIC con informazioni aggiornate sullo stock. La disponibilità visualizzata è 2440. Poiché lo stock cambia frequentemente, invia una RFQ per confermare disponibilità, prezzo e consegna in tempo reale.
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FudongIC si concentra sulla fornitura di componenti elettronici originali e genuini. TK31E60X,S1X di Toshiba Semiconductor and Storage viene acquistato tramite canali affidabili.
Il tempo di consegna dipende dalla posizione dello stock, dalla quantità e dalla destinazione. Per stock disponibile, possiamo organizzare spedizione con DHL, FedEx, UPS o altri servizi express.
In base ai requisiti applicativi, FudongIC può aiutare a verificare alternative o equivalenti per TK31E60X,S1X. Invia specifiche, quantità richiesta e dettagli applicativi.
| Immagine |  |
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| Numero parte | TK31V60X,LQ | TK25E60X,S1X | TK25A60X5,S5X | TK25N60X,S1F | TK31E60X,S1X |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Packaging | Tube | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Series | DTMOSIV-H | DTMOSIV-H | DTMOSIV-H | DTMOSIV-H | DTMOSIV-H |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 30.8A (Ta) | 30.8A (Ta) | 30.8A (Ta) | 30.8A (Ta) | 30.8A (Ta) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V | 10V | 10V | 10V | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 88mOhm @ 9.4A, 10V | 88mOhm @ 9.4A, 10V | 88mOhm @ 9.4A, 10V | 88mOhm @ 9.4A, 10V | 88mOhm @ 9.4A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 3.5V @ 1.5mA | 3.5V @ 1.5mA | 3.5V @ 1.5mA | 3.5V @ 1.5mA | 3.5V @ 1.5mA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 65 nC @ 10 V | 65 nC @ 10 V | 65 nC @ 10 V | 65 nC @ 10 V | 65 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 3000 pF @ 300 V | 3000 pF @ 300 V | 3000 pF @ 300 V | 3000 pF @ 300 V | 3000 pF @ 300 V |
| FETFeature | Super Junction | Super Junction | Super Junction | Super Junction | Super Junction |
| PowerDissipation(Max) | 230W (Tc) | 230W (Tc) | 230W (Tc) | 230W (Tc) | 230W (Tc) |
| OperatingTemperature | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays(5629)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – HF(2777)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren(42446)
TK31E60X,S1X Informazioni rilevanti
I seguenti componenti sono inclusi "TK31E60X,S1X" ISSI, Integrated Silicon Solutions Inc. TK31E60X,S1X.
- Numero parte
- Produttore
- Imballaggio
- Descrizione
I seguenti componenti sono quelli più cercati in: Transistor - FET, MOSFET - Singolo.
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-
STF18N65M2
STMicroelectronics
-
TK65A10N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
-
SIHP17N80AE-GE3
Vishay Siliconix
-
FCPF9N60NT
onsemi
-
SIHP18N50C-E3
Vishay Siliconix
-
STP24N60M6
STMicroelectronics
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